长春市轨道客车电子配件生产项目1项目简介1.1项目背景1.1.1产品.doc

长春市轨道客车电子配件生产项目 1 项目简介 1.1 项目背景 1.1.1 产品简介1.1.2 市场前景 1.1.3 技术分析 Trench IGBT)是高耐压大电流IGBT器件通常采用的结构，它避免了模块内部大量的电极引线，减小了引线电感，提高了可靠性。从IGBT的发展过程可以看出轨道客车电子配件正在朝着复合型、模块化、高容量、高工作频率方向发展。 在轨道客车电子配件中，有相当一部分电力电子器件都是由硅半导体材料制成的，而近年来出现了一些性能优良的新型化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、碳化硅（SiC）、磷化铟（InP）及锗化硅（SiGe）等，由它们作为基础材料制成的电力电子器件正不断涌现。碳化硅（SiC）是目前发展最成熟的宽禁带半导体材料，与其他半导体材料相比具有高禁带宽度、高饱和电子漂移速度、高击穿强度、低介电常数和高热导率的物理特点，其工作温度可达600℃，PN结耐压易于达到5kV—10kV，漏电流特别小。因此，碳化硅在高温、高频率、高功率的应用场合是极为理想的材料，SiC器件的研发将成为未来的一个主要趋势。但是，由于碳化硅器件的发展速度受到碳化硅材料完整性的制约，而且在SiC材料和功率器件的机理、理论和制造工艺等方面，还有大量问题有待解决，功率碳化硅器件要得到普遍应用，还要5年-10年的时间。另外，砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）材料的半导体元件具有更好耐高