第7章电压测量-7-3导论.ppt

第7章．电压测量 7.1 电压测量概述 7.2 模拟式直流电压表 7.3 交流电压的表征和测量方法√ 7.4 低频交流电压测量√ 7.5 高频交流电压测量√ 7.6 脉冲电压测量 7.7 电压的数字式测量√ 1. 超量程能力 7.7.6　DVM的其他技术指标 　　DVM的量程以基本量程(即A/D变换器的电压范围)为基础，通过步进分压器或前置放大器向高、低两端扩展。基本量程通常为1V或10V，也有2V或5V。 　　DVM的位数是指能显示0～9十个数码的位数。 通常术语中，3　　位、4　　位或5　　位(三位半、四位半、五位半)中的1/2位指最高位只能取“1”或“0”。 1/2位和基本量程结合起来，能说明DVM有无超量程能力。 如某3　　位DVM的基本量程为1 V，那么该DVM具有超量程能力，因为在1 V挡上它的最大显示为1.999 V。 对于基本量程为2 V的DVM，它就不具备超量程能力，因为它在2 V挡上的最大显示仍是1.999 V。 　　如果DVM有超量程能力，那么当被测电压超过该量程满度值时，所得结果没有降低精度和分辨力。 例如，被测电压为13.04 V 如果所用三位DVM无超量程能力，则必须使用100 V量程挡，显示13.0 V。 如果DVM有超量程能力(实际上为三位半DVM)，则仍可使用10 V挡测量，显示结果为13.04 V。 显然，后者没有降低测量精度和分辨力。 　　2. 抗干扰能力 　　由于DVM的灵敏度很高，因而对外部干扰的抑制能力就成为保证它的高精度测量能力的重要因素。外部干扰可分为串模干扰和共模干扰两种。 　　1) 串模干扰 　　串模干扰是指干扰电压usm以串联形式与被测电压Ux叠加后加到DVM输入端，见图7.7-14。图(a)表示串模干扰来自被测信号源内部，图(b)表示串模干扰是由于测量引线受外界电磁场感应所引起的。 图7.7-14　串模干扰示意图 　　通常用串模干扰抑制比SMR来表示DVM对串模干扰的抑制能力。SMR定义为 SMR(dB)=20 lg　　　　　　　　　(7.7-18) 式中，Usmp表示串模干扰电压峰值；ΔUsm表示由串模干 扰usm所引起的测量误差。 SMR值愈大，表示DVM抗串模干扰能力愈强。一般DVM的SMR值为20～60 dB。 PZ8直流DVM对50 Hz交流干扰的串模抑制比SMR≥20 dB。 DS26直流DVM对50 Hz干扰的串模抑制比SMR≥40 dB。 　　设串模干扰源为正弦波： usm(t)=Usmp sinωt=Usmp sin　　　　　　　　(7.7-19) 式中， Tsm为正弦型串模干扰的周期。 对于积分型DVM而言， 由于积分过程就是取平均值的过程， 因此对于正弦型串模干扰的抑制能力很强。 积分型DVM的串模干扰抑制比为 (7.7-20) T1为积分式A/D的 取样周期。 T1值越大，SMR值越高；相反，Tsm值越大，即干扰信号频率越低，SMR值越小。 因此串模干扰的危害主要在低频，实际测量中主要是50 Hz工频，其周期Tsm=20 ms。 若令取样周期即积分时间T1为20 ms的整数倍，则SMR值将趋于无穷大，即串模干扰得到完全抑制。 T1一般取60 ms或80 ms。 很难保证T1始终是Tsm的整数倍，所以为使SMR尽可能高，T1应尽量大一些，但这将降低测量速度。 　　2) 共模干扰 Z1、Z2是DVM两个输入端与机壳间的绝缘阻抗，一般Z1Z2; R1、R2是测量引线的电阻。 当被测信号源地端与DVM机壳间存在电位差时，这个电位差就相当于一个干扰源Ucm。Ucm将串入两根信号引线，由于(R1+Z1)不等于(R2+Z2)， 因此Ucm的作用等效于信号通道中的串联干扰源，对测量结果发生影响，如图7.7-14中Usm的作用。 图7.7-15　共模干扰示意图 　　如果(R1+Z1)=(R2+Z2)，则尽管有Ucm存在，等效的Usm也等于零，不会影响测量结果。因此将Ucm与Usm的比值定义为DVM的共模抑制比： CMR(dB)=20 lg 　　　　　　　(7.7-21) 式中，Ucmp和Usmp分别为共模干扰的峰值和它等效的串模干扰的峰值。 　　一般Z1Z2，故可忽略图7.7-15中I1的影响，所以有 Usmp≈R2I2≈R2 · 即 CMR(dB)≈20 lg (7.7-22) 由式(7.7-22)可知， 当R2一定时， 尽量增大|Z2|， 可以增大CMR。 通常DVM中将A/D浮置并采取多层屏蔽措施就是为了这一目的。 7.7.7 电流、电压、阻抗变换