8-放大电路的频率响应试卷.ppt

3-* 5、共基放大电路的高频响应 由图可见，如果忽略rbb’ Cb’C的影响，则Cb’e直接接于输入端，输入电容Ci=Cb’e，不存在密勒倍增效应，且与Cb’c无关。所以，共基电路的输入电容比共射电路的小得多，fH很高。理论分析的结果 Cb’e Cb’c rb’e rbb’ Rc ＋ ＋ － － b’ b e c ＋ － VI VO g mVb’e Vb’e 1）、Cb’e的影响 3-* Cb’e Cb’c rb’e rbb’ Rc ＋ ＋ － － b’ b e c ＋ － VI VO g mVb’e Vb’e Cb’e rb’e/β Rc ＋ ＋ － － b e c ＋ － VI VO g mVb’e Vb’e 2）、上限频率fH 3-* 三、单级共射放大电路的低频响应 Cb1 Cb2 rbe Re Rc ＋ ＋ － － b Ib c VI VO Ce Rb Rs βIb e RL Rb1 +12V Rc Cb1 Cb2 Rb2 Ce Re RL vo vs Rs ＋ _ 3-* C1 Cb2 rbe Rc ＋ ＋ － － Ib VI VO Rs RL - + βIbRc Cb1 Cb2 rbe Re Rc ＋ ＋ － － b Ib c VI VO Ce Rb Rs βIb e RL 3-* C1 Cb2 rbe Rc ＋ ＋ － － Ib VI VO Rs RL - + βIbRc 3-* C1 Cb2 rbe Rc ＋ ＋ － － Ib VI VO Rs RL - + βIbRc 中频增益 3-* Rb1 +VCC Rc Cb1 Cb2 Rb2 Ce Re RL vo vs Rs ＋ _ 电路如图，已知三极管的β=120, Cb1= Cb2 =1μF, Ce=10μF, rbb’=50Ω, Rs=5k? ,Rb1=33k?， Rb2=22k?， RE=3.9k?， RC=4.7k?， RL=5.1k?， IE= 0.33mA,VCC=5V， 求下限频率fL. 例 3-* β=120, Cb1= Cb2 =1μF, Ce=10μF, rbb’=50Ω, Rs=5k? , Rb1=33k?， Rb2=22k?， RE=3.9k?， RC=4.7k?， RL=5.1k?， IE= 0.33mA, VCC=5V， 1)画出低频小信号等效电路 Cb1 Cb2 rbe Re Rc ＋ ＋ － － b Ib c VI VO Ce Rb Rs βIb e RL C1 Cb2 rbe Rc ＋ ＋ － － Ib VI VO Rs RL - + βIbRc 3-* β=120, Cb1= Cb2 =1μF, Ce=10μF, rbb’=50Ω, Rs=5k? , Rb1=33k?， Rb2=22k?， RE=3.9k?， RC=4.7k?， RL=5.1k?， IE= 0.33mA, VCC=5V， C1 Cb2 rbe Rc ＋ ＋ － － Ib VI VO Rs RL - + βIbRc * 由表可见，每当|A|增大为原来的10倍时，相应的20lg|A|将增加20dB。若|A|增大1倍，则相应的20lg|A|增加6dB。由表还可见，当|A|=1时， 20lg|A|=0；当|A|1时， 20lg|A|0；而当|A|1时， 20lg|A|0. * 在阻容耦合放大电路中，由于信号通过耦合电容进入放大器，所以耦合电容与从放大器方向看进去的等效电阻对信号形成了高通电路，即当信号频率较高时耦合电容相当于短路，信号几乎无损失地通过，而当信号频率低到某种程度时，电容的容抗增大，信号将在其上产生衰减，以至于放大倍数的数值减小，且产生相移。 与此相反，晶体管的极间电容对信号形成低通电路，即当信号频率较低时极间电容相当于开路，对放大电路不带来什么影响，信号几乎无衰减地通过，而当信号频率高到某中程度时，极间电容的容抗见减小，信号将在其上产生分流，以至于放大倍数的数值减小，且产生相移。 第三章 3-* 为什么要研究放大电路的频率响应？ §6放大电路的频率响应 由于放大电路中存在电抗元件（如管子的极间电容，电路的负载电容、分布电容、耦合电容、射极旁路电容等），使得放大器可能对不同频率信号分量的放大倍数和相移不同。这就产生了失真。 由于此失真是由电路的线性电抗元件（电阻、电容、电感等）引起的，故称为线性失真。 3-* 如放大电路仅放大了基波而对二次谐波的放大很小就会引起幅度失真。如电路对基波不产生相移，仅对二次谐波产生相移就会引起相位失真。幅度失真和相位失真总称为频率失真，线性失真也是模拟电子技术中实现信号不失真放大所需研究的问题。 3-* 频率失真与非线性失真