(定)硅化物及其薄膜在微电子学中的应用技巧.doc

硅化物薄膜在微电子学及其应用 Shyam P. Murarka Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, NY 12180, USA (Received 7 February 1994; accepted 4 June 1994) 在本文讨论了金属硅化物与其他硅元素化合物的Ⅳ族元素导电过渡的有效性及其薄膜在微电子学中的应用。下面简要描述设备的结构、接触电阻、互连延迟(硅化物用于降低这些关键性能参数的设备和集成电路)、所需的材料特性,对于硅化物的薄膜的制备进行了简要回顾,对于外延硅化物和硅化物的稳定性进行了讨论。结果表明硅化物甚至GaAs的高导电性、低阻抗、高温稳定性及耐腐蚀方面应用在微电子方面有着极大的优势。它们材料广泛、性能可靠，显示出继续应用的潜能,无论是下降的设备还是硅环形集成电路中。它们提供了生产三维器件/环形结构的可能性，并且明显的提高了异质结期间的速度。 关键词:硅化物、薄膜、钴硅化物,集成电路,电子 一 元素周期表中硅化物与其他元素硅的化合物。他们涵盖所有的化合物，这作者的最喜欢的图,所谓的硅化物周期表(图l)（1）。这些化合物的分子氧硅化物(SiO2),俗称二氧化硅,二氧化硅是地球的主要组成部分，也是硅集成电路成功的关键材料。硅的化合物与氢、碳、氮、卤素也在集成电路中扮演着重要的角色。CSi,俗称硅硬质合金,是一种潜在的高温半导体，适用于硅基器件的应用程序。在本文中,限于下降的硅化物类别的所谓“金属间化合物”,材料,或多或少是金属或像图1中的heavy-lined插图所示。这些都是过渡金属硅化物。 从二十世纪开始，过渡金属硅化物就受到了极大的关注。大部分研究通过1950年代步入1960年代使用粉末冶金技术生产这些材料。132个研究主要重点调查了基本属性如电阻率、高温稳定性、构建金属硅相图,硅化物晶体化学以及耐蚀性。一些硅化物具有非常高的熔点用于炉子的原材料和高温涂料,仍在研究（2）MoSi2在一些或其他的形式的应用（3） 过渡金属硅化物,一般来说,金属-金属和合金这些比较低电导率是良好的电导体。使用硅化物作为导体在SiCs的可能性以及硅化物薄膜的研究首先在六十年代末开始,然后当时就表示（4、5）应用(见下个定义部分)集中在使用（a）肖特基势垒和欧姆接触,(b)门和互连金属以及(c)外延导体异质结。（6）除了测量肖特基势垒高度,接触电阻和电阻，形成金属硅系统和反应扩散动力学。过去30年一直在研究工作温度、机械应力、氧化性、蚀刻特征、硅上外延生长等有关半导体集成电路稳定性的参数。（4,6-10）表1列出了用于小规模集成电路的硅化物的性能。表2列出了一度被应用的硅化物的性能，同时表2列出了硅化物薄膜电阻率以及熔点的数值，不同条件下，电阻率有着不同的范围，当半导体集成电路制造逐渐的使用较薄的薄膜时，低价态材料只适用于高纯度大体积硅化物。晶界、缺陷以及杂质是薄膜高电阻的主要原因。（11）另外值得注意的是，由于增加冶金的稳定性，当接触硅时，硅含量较高的硅化物被认为是自然产生的电阻率最低的材料。因为PdSi在高温下不稳定，因此只有Pd2Si是一个例外。（12,13）在这张表上我们要排除了一些锰、铬、铁的硅化物的半导体。他们将在另一个部分讨论。 综述,首先要测试这些硅化物的电气性能的有用性。紧随其后的是评估这样的硅化物在半导体集成电路的应用,硅化物稳定性、影响选择的限制,并在现有和未来的硅化物微电子学方面的新用途。这将表明,从八十年代末到九十年代初，随着微电子产业的发展从大尺寸(六十年代末最小特征尺寸≥10μm)到亚微米尺寸的大小, 在21世纪将演变成小于0.1微米特征尺寸,所需的集成电路金属化的特点也发生了变化。这些变化让位给硅化物的应用,这在过去是不可能的。 2接触电阻和互连延迟微电子学 图2显示了一个的横截面示意图，基本的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)硅化物用作接触硅(所谓的基区和耗尽区)和用于连接多晶硅,以后多晶硅用来降低门电路的阻力(金属氧化物半导体中部地区)。在接下来的的基本定义这样的使用介绍。 2.1肖特基势垒高度和接触 当金属在半导体(硅在目前的情况下)沉积或形成硅化物的势垒,称为肖特基势垒，这是电荷转移的结果,因为费米能级的存在这两个材料都必须匹配。因为材料的原因，金属和半导体之间的电荷转移的结果是不平等的，进而形成势垒。理想情况下,金属半导体之间的行为差异可以预测计算。 例如,图3所示为n型半导体,如果金属中的电子逸出功Φm大于半导体中的电子逸出功Φs,金属半导体整流接触。这是因为,当金属和半导体表面接触,要求费米能级相匹配的原因有两个，一方面是电子从n型半导体移动到金属电子浓度不足和半导体表面附近,导致导带弯曲。内置电势和电子流保持