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Application References Nov, 04th, 2011-Boris Chang 太陽能電池(晶體矽) 製程設備 太陽能電池製程 太陽能電池製程設備 Habasit Rossi | Habasit Rossi – Solutions in motion 太陽能產業結構 矽晶片製程 單晶矽 利用柴氏長晶法，把高純度的多晶矽（純度為 99.999999999％，11 個 9）熔融在坩鍋中，再把晶種插入矽熔融液，用適當的速率旋轉並緩慢地往上拉引做成矽晶柱，然後再把晶柱加以切割，就可以得到單晶矽晶圓。單晶矽晶圓主要製程為拉晶、切方、切片、清洗及晶片檢測等 多晶矽 指材料由許多不同的小單晶所構成，其製作方法是把熔融的矽鑄造固化而形成，因其製程簡單，所以成本較低。多晶矽的矽原子堆積方式不只一種，是由多種不同排列方向的單晶所組成。多晶矽晶圓主要製程為鑄造切方、切片、清洗及晶片檢測等 矽晶片太陽能發電原理 太陽能電池分類 消費性電子產品 較低功率電力系統 發電廠 交通照明號誌 應用範圍 10年左右 20~25年左右 20~25年左右 使用年限 6-8％ 16~17% 17~18% 轉換效率 較低 較高 最高 製造成本 非晶矽太陽能電池 A si/CIS/CIGS 多晶矽太陽能電池 Multi-Crystalline 單晶矽太陽能電池 Mono-Crystalline 名稱 粗化蝕刻：去除切片鋸痕並以酸液蝕刻程粗糙面，降低光反射 磷擴散：高溫爐中通入含磷氣體，使電洞較多之P型晶片表層滲入磷，行程電此較多之N型區域。 磷玻璃蝕刻：磷擴散會在晶片外層形成磷玻璃，需以酸洗去除 電漿輔助化學氣相沉積PECVD：矽甲烷與氨氣在高溫爐中反映，於晶片表面形成氮化矽抗反射度層，呈現藍色 網印電極：以網印方式將含鋁、銀之漿料印至於晶片表面，製程中會有三段網印 燒結：漿料經網印、烘乾後，需經燒結處理才能穿透正面淡化矽度層並滲入矽晶片表層，緊密結合並將電流導出。 一、入、出料系統 Load Unloader System 應用- 各製程(擴散、氣化沉積、網印、燒結、檢測)間銜接 產品- 8~15mmW*?L(因應設計需求) MAT-5P(一般輸送) MAM-04H(檢測後段) MAM-5P(導正) TS-5(晶盒載具) 選型要點- 1.調整空間較小 2.最小輪徑限制15~20mm 3.避免皮帶振動 4.避免歪斜、掉片 5.磨擦力 MAT-5P 0.75 MAM-5P 0.7 二、分類檢測設備 Sorting Testing 應用- 1.電量 2.反光率EQE,IQE 3.印刷品質 4.晶片品質(表面瑕疵、缺角、彎曲) 產品- 8~15mmW*?L(因應設計需求) 1.MAM-04H 2.MAT-5P 選型要點- 1.調整空間較小 2.最小輪徑限制15~20mm 3.避免皮帶振動 4.避免歪斜、掉片 三、網印電極設備