第4章Ge衬底GaAs太阳能电池的仿真-毕业设计(论文)-华侨大学.doc

Si基异质结太阳能电池仿真 华侨大学工学院 专业 光电子技术与科学　11届　姓名 严希滚 学号1195121043 摘要　本文详细介绍了硅太阳能电池和III-V族太阳能电池研究进展，并对不同太阳能电池的优缺点进行比较详细的概述。简要介绍了太阳能电池的一般原理和仿真软件Silvaco Tcad；设计了a-Si/ua-Si太阳能电池的器件结构，并且进行仿真验证。改变a-Si/ua-Si太阳能电池的掺杂溶度，观察其掺杂溶度在1×1018cm-3到1×1020cm-3下的转换效率，得到当溶度为1×1019cm-2时得到最大转换效率为11.7%；同时设计了Ge衬底GaAs太阳能电池的结构，改变Ge衬底GaAs太阳能电池中GaAs(p)层的厚度，观察其厚度在200~500nm下的转换效率，得到GaAs(p)层的厚度为350（nm）时转换效率最大，其值为20.13%。 关键词 太阳能电池 硅 砷化镓 Silvaco Tcad 转换效率 The?simulation?of?the?hetero-junction?solar?cells?based?on?Si Yan XiGun 1195121043，Optoelectronic Technology and Science,2015 Abstract： This paper describes the silicon and the group III-V solar cell research progress. And the advantages and disadvantages of different solar cells will be detailed overview. The paper also introduces the software Silvaco Tcad also; We design the device structure of a-Si / ua-Si solar cells and Simulation of the solar cell . Changing the a-Si / ua-Si solar cell doping solubility from 1×1018cm-3 to 1×1020cm-3,we get maximum conversion efficiency of 11.7% when the solubility is 1×1019cm-3. At the same time,we design the device structure of GaAs solar cell on Ge substrate. As the change the thickness of GaAs (p) layer at the range of 200~500nm, we get the maximum conversion efficiency of 20.13% when the thickness of GaAs (p) layer is 350 (nm). Key words: Solar cells;Si;GeAs; Silvaco Tcad; Conversion efficiency;  目 录 绪 论 1 第1章 太阳能电池进展 2 1.1太阳能电池总述 2 1.2 Si太阳能电池进展 2 1.3 III-V族太阳能电池进展 4 1.4论文框架 5 第2章Silvoca Tcad软件介绍和太阳能电池原理 7 2.1 Silvaco Tcad软件介绍 7 2.2太阳能电池原理 8 2.2.1 pn结内建电场的产生 8 2.2.2光照下的pn结 8 2.2.3太阳能电池的一般公式 9 第3章a-Si/ua-Si太阳能电池的仿真 10 3.1 a-Si/ua-Si太阳能电池的结构定义 10 3.1.1网格初始化 10 3.1.2定义区域和所用材料 11 3.1.3电极的定义 11 3.1.4杂质掺杂分布 12 3.2 a-Si/ua-Si太阳能电池的材料模型的设定 12 3.2.1 a-Si/ua-Si太阳能电池参数的设置 12 3.2.2 a-Si/ua-Si太阳能电池模型的选择 13 3.2.3 a-Si/ua-Si太阳能电池表面复合率设置 13 3.3 a-Si/ua-Si太阳能电池数值计算方法 13 3.4 a-Si/ua-Si太阳能电池器件特性获取 14 3.4.1设定光源 14 3.4.2 a-Si/ua-Si太阳能电池的光谱响应曲线 14 3.4.3电压电流曲线 15 3.4.4外量子效率曲线 17 第4章Ge衬底GaAs太阳能电池的仿真 18