模电课件第三章答案.ppt

2007年6月 电工电子教研室 第四版 3.3 二极管 3.3.1 半导体二极管的结构 3.3.2 二极管的伏安特性 3.3.3 二极管的参数 § 3.3.1 半导体二极管的结构 半导体二极管(diode insulator)图片 § 3.3.1 半导体二极管的结构 半导体二极管(diode insulator)图片 § 3.3.1 半导体二极管的结构 半导体二极管(diode insulator)图片 § 3.3.1 半导体二极管的结构 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。 (1) 点接触型二极管 (a)点接触型 二极管的结构示意图 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 § 3.3.1 半导体二极管的结构 (2) 面接触型二极管 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 (b)面接触型 (3) 平面型二极管 (c)平面型 (4) 二极管的代表符号(symbol) anode cathode § 3.3.1 半导体二极管的结构 往往用于集成电路制造艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 正向压降变化范围不大,近似等于常数; Si≈0.7V;Ge≈0.2V 少数载流子的漂移形成反向饱和电流,一般硅管远小于锗管.该电流对温度非常敏感. 硅二极管2CP10的V-I特性 锗二极管2AP15的V-I特性 正向特性 正向电压不大,电流相对很大。 Vth:门坎电压/死区电压 正向压降 正向压降 反向特性 反向击穿特性 Si≈0.5V;Ge≈0.1V § 3.3.2二极管的伏安特性 §3.3.3 二极管的参数 1. 最大整流电流 IF 二极管长期运行时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向击穿电压VBR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压约为击穿电压的一半。 3. 反向电流 IR 指管子未击穿时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。 §2.3.3 二极管的参数 4. 二极管的极间电容（parasitic capacitance） 二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成：势垒电容(barrier（depletion）capacitance)CB和扩散电容(diffusion capacitance)CD。 势垒电容：势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变化时，就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出的电容是势垒电容。 §2.3.3 二极管的参数 4. 二极管的极间电容 扩散电容：为了形成正向电流（扩散电流），注入P 区的电子在P 区有浓度差，越靠近PN结浓度越大，即在P 区有电子的积累。同理，在N区有空穴的积累。正向电流大，积累的电荷多。这样所产生的电容就是扩散电容CD。 P + - N CB在高频和反向偏置时明显。 CD在正向偏置时明显。 §3.3.3 二极管的参数 5. 微变电阻 rD iD vD ID VD Q ?iD ?vD rd 是二极管特性曲线上工作点Q 附近电压的变化与电流的变化之比： 显然，rd是对Q附近的微小变化区域内的电阻。 3.4 二极管基本电路及其分析方法 3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法 3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法 理想二极管V-I特性 理想二极管代表符号 正向压降为0 反向电阻为无穷大 正向偏置电路模型 反向偏置电路模型 应用条件:实际的电路中,当电源电压远大于二极管的管压降时,可以利用理想模型进行近似分析. §3.4.2二极管电路的简化模型分析方法 1.理想模型（ideal diode) * 3.1 半导体的基本知识 3.3 二极管 3.4 二极管基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.2 PN结的形成及特性 3 半导体二极管及基本电路 半导体器件是现代电子技术的重要组成部分, 由于其体积小、重量轻、使用寿命长、输入功率小和功率转换效率高等优点得到广泛的应用 3.1 半导体的基本知识 3.1.1 半导体材料 3.1.2 半导体的共价键结构 3.1.3 本征半导体的导电作用 3.1.4 杂质半导体 导体(conductor)：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。 绝缘体(semiconductor)：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 半导体(