电子电路构装11月底作业.ppt

電子電路佈線與構裝 11月底作業 學號:姓名:顏得洋 老師:林君明老師 前言 工程師們依賴精密的設備，例如聚斂離子束系統(focused ion beam)，來幫助他們分析電路的功效。近年電子構裝工業逐漸使用覆晶封裝(Flip-chip)技術，然而覆晶封裝卻使得IC偵錯(debug)工作出現瓶頸。為了解決這個問題，本篇文章討論了解決的方法，整合高解析的光學系統，特殊的化學反應和硬體設施於一台聚斂離子束系統上。 線路修改（Circuit Modification，於晶片上進行線路再連線）雖已被普遍採行應用，但卻仍具挑戰性。雖然電腦模擬已經非常精確，完整評估IC產品的電性功能與運作效能依然必須依賴建構在矽基材上的原型(prototype)。聚斂離子束(FIB)技術可將外部測試技術所無法接觸到的IC成品內部的節點顯露出來以進行評估，（下頁之FIB背景簡介）。一旦評估完成，晶片上的線路佈局多半需作更改，但是製作新的光罩和樣品頗為耗時，往往需歷時數週才能完成。FIB技術避開了這種耗時費錢的缺點，直接用現有的樣品進行再連線，不需要製作新的光罩和樣品，大大地縮短了偵錯的過程，加速新產品上市的時程。 IC構裝技術的快速發展產生了覆晶封裝技術，由於晶片是以倒反的方向進行封裝，表面的線路被埋在矽晶片基質下方數百微米深的地方，形成了極難克服的分析瓶頸(圖一)，經過多年的發展，最近FIB技術已突破此一困境，並有超乎一般預期的表現。 FIB 是英文 Focused Ion Beam的縮寫,依字面翻譯為聚焦離子束.簡單的說就是將Ga(鎵)元素離子化成Ga+, 然後利用電場加速.再利用靜電透鏡(electrostatic)聚焦,將高能量(高速)的Ga+打到指定的點. 基本原理與SEM類似,僅是所使用的粒子不同( e- vs. Ga +),透鏡型式(磁透鏡 vs. 靜電透鏡)位置不同.註: 並非用Ga+才叫FIB(In, Au.AsPd2......),只是大多數商用FIB都是用Ga,因為-????(整理好在寫).Focused(聚焦): 將離子束聚焦Ion(離子): Ga --- Ga+Beam(束):很多離子往同一路徑(方向)移動 開口腔型封裝 開口腔型封裝最適合於聚焦離子束(FIB)分析和開發過程中依賴於探針測量的半導體元件。為了加速設計工作，並確保轉入量產之前元件的完整性，能夠對晶片直接進行測試是一個非常重要的考量。但是，直到不久前，這些封裝通常還都是陶瓷封裝。這類封裝不僅僅很貴，關鍵是由於封裝中的內部互連與最後封裝中所用的不一樣，導致無法對高速訊號的完整性進行精確評估。但這種現象最近得到了改變，設計中已可利用各種常見形式的開口腔型封裝，這些形式包括QFN/MLP、QFP和SOIC/SSP。這些預鑄的封裝滿足最新的JEDEC外形和接腳跡線標準。透過對其銅接腳進行鍍金滿足軍用標準，故具有穩定的機械性能，並具有與在大量產中所用的全密封封裝非常相近的電性能。典型的封裝尺寸從3x3mm到10x10mm。 晶片級封裝 由於成本相對較低，體積小，性能高等原因，晶片級封裝正日益普及。它能夠為晶片表面提供保護，將PCB和晶片間的應力減到最小，而且容易改變晶片和PCB之間的互連。由於內部互連的距離最短，其高速訊號性能特別好。與傳統的晶片製造、切片和封裝製程不同，晶片的晶片級封裝先對整個晶片進行完全封裝後再進行切片分割，見下圖。 晶片級封裝將矽片的切割放到製程的後端。 晶片疊層封裝 當X-Y平面上的空間非常稀缺時，可以採用疊層封裝。疊層封裝非常高效率地利用母板面積，不僅減少了尺寸和重量，還降低了系統成本。利用MPW方法，再加上疊層封裝，可以使複雜系統的建模快於開發單晶片。因此，採用疊層封裝是在將所有類型的電路移入單一製程過程中驗證設計是否符合系統要求的好方法。例如，設計中的快閃記憶體，數位電路和類比電路可以用不同的晶片製造，然後放置到同一封裝中。這種封裝形式帶來了一定的靈活性，可以將定製晶片與商用現成晶片結合在一起來降低成本。在進行層疊之前要對晶片進行測試，以確保用的都是已知的好晶片(KGD)，因而將浪費減到最小。在實現疊層結構時有三種不同的方案：同尺寸晶片堆疊，金字塔式堆疊，懸吊式交叉堆疊，詳見下圖。 金字塔式堆疊 相同尺寸晶片堆疊 懸吊式交叉堆疊 當所用的晶片只有兩片時，最高封裝高度通常為1.4mm以內。當電路板的面積特別有限時，可以堆疊3片甚至更多的晶片，但高度會高一些。堆疊封裝最常見的應用是一些可攜式電子設備，像手機、PDA、可攜式相機以及其他消費性無線系統。 系統級封裝(SIP) 如今系統級封裝日益普及，這不僅是因為其高密度，還有一個原因就是由於被動元件的體積不斷減少，使得加工處理變得越來越困難和昂貴。如今1