单颗粒成像法研究细胞模拟物在微流控芯片中的迁移行为.pdfVIP

单颗粒成像法研究细胞模拟物在微流控芯片中的迁移行为· 盖宏伟包德才刘晓君马小军马银法林炳承¨ (中国科学院大连化学物理研究所，大连，116023) 1引言 微流控芯片技术已经成为一个重要的技术领域，得到越来越多的关注，其所涉及的对象 从生物大分子(DNA，蛋白，糖)，生物小分子(氨基酸，神经递质)到金属离子，无机物等。 但微流控芯片研究胶体微粒的报道非常少。对于微颗粒的研究不仅有助于工业控制的设计和 优化(比如烟道气，流化床)，同时由于其尺寸与细胞或者细胞器尺寸接近，表面带电情况复 杂，可以作为单个细胞研究的模拟物，对于细胞或细胞器的研究有借鉴意义。我们用单个颗 粒成像的方法研究了自制聚苯乙烯颗粒在PMMA芯片微通道中的电泳迁移行为，从单个颗粒 的角度分析造成宏观速度分布的原因，为迸一步研究单细胞在芯片微通道中的迁移及微颗粒 表面带电性质打下基础。 2实验部分(略) 3结果与讨论 3．1不同场强下PSE颗粒迁移速度及速度分布 图1是典型的微颗粒在通道中迁移录象结 果，箭头指示颗粒迁移方向。一般说来，由于在 制备过程中引发剂的原因，聚苯乙烯颗粒表面带 负电，但电泳淌度远低于电渗淌度，所以在没有 进行任何内壁处理的塑料微通道中，颗粒迁移方：：器。L。嬲．哪絮‰：竺鬻：瓣他ne f。romanodetocathode．Blackarrow 向为电渗方向。由图2伏安特性曲线可知，当电erled啪smosis d‘怕d‘on吖80‘伸m。删‘ 场度大于350V／cm时，热效应明显。图3是PSE删cate3付1e 啪 B 啪 7 m O 枷 5 狮 一《：一lu瞿，o 4 ^∞、En)参奄oI。o口墨o，《 啪 3 。 100 200 300 400 500 Electdc Electric fields‘fVIcm) field(Vlcm) PSE velocitiesinTBE migration Flgure3．11他average bufferasafunctionofthe deetronicfcelds．Inset 2．CurrentVS curve applied