数字电路基础_第3章逻辑门电路绪论.pptx

第三章 逻辑门电路 3.2 TTL逻辑门电路 3.3 CMOS逻辑门电路 3.4 集成逻辑门电路的应用 3.1 基本逻辑门电路 教学基本要求： 了解半导体器件的开关特性。 熟练掌握基本逻辑门(与、或、与非、或非、异或门)、三态门、OC门（OD门）和传输门的逻辑功能。 学会门电路逻辑功能分析方法。 掌握逻辑门的主要参数及在应用中的接口问题。 逻辑门电路 概 述 逻辑门:实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路。 　　基本和常用门电路有与门、或门、非门（反相器）、与非门、或非门、与或非门和异或门等。 高电平、低电平 高电平 低电平 　　利用半导体开关元件的饱和导通、截止（即开、关）两种工作状态。 获得高、低电平的基本方法 概 述 　　逻辑0和1： 电子电路中用高、低电平来表示。 逻辑赋值 概 述 理想开关 开关打开时：漏电流为零 开关闭合时：导通电压为零，导通电阻为零 开关动作在瞬时完成，开关时间为0 机械开关 电子开关 概 述 半导体器件的开关特性 1、二极管的开关特性 二极管符号： 正极 负极 ＋　uD 　－ Ui0.5V时，二极管截止，iD=0。 Ui0.5V时，二极管导通 uo uo ui＝0V时，二极管截止，如同开关断开，uo＝0V。 ui＝5V时，二极管导通，如同0.7V的电压源，uo＝4.3V 二极管的反向恢复时间限制了二极管的开关速度。 半导体器件的开关特性 二极管的动态电流波形 半导体器件的开关特性 2、三极管的开关特性 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。 外部条件：发射结正偏 集电结反偏 三极管的基本结构 2、三极管的开关特性 输入特性 输出特性 2、三极管的开关特性 饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V (硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。 截止区：iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。此时， vBE小于死区电压。 放大区：iC平行于vCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。 2、三极管的开关特性 三极管的基本开关电路 只要电路的参数配合得当， 必能做到Vi为低电平时 三极管工作在截止状态， 输出为高电平。 Vi为高电平时 三极管工作在饱和状态， 输出为低电平。 + ˉ Vi Vo Vi 2、三极管的开关特性 三极管的基本开关电路 Vi Von时, 三极管处于截止状态，iB≈0， iC≈0，电阻RC上没有压降。 输出为高电平VOH。 2、三极管的开关特性 三极管的基本开关电路 Vi Von时,产生iB，T进入放大状态 VCE=VCC－iCRc 当RC上的压降接近VCC时，T上的压降接近于0， T处于深度饱和，开关电路处于导通状态， VO=VOL≈0 2、三极管的开关特性 三极管开关的关键 Vi为低电平 VIL时，三极管可靠截止，VBEVon， Vi为高电平VIH 时，三极管深度饱和，iB≥IBS 开关等效电路 三极管的动态开关特性 半导体器件的开关特性 三极管内部的电荷的建立和消散都需要一定的时间 集电极电流ic的变化将滞后于输入电压vi 3、场效应管的开关特性 工作原理电路 转移特性曲线 输出特性曲线 截止状态 uiUT uo=+VDD 导通状态 uiUT uo≈0 §2.1 基本逻辑门电路 1、二极管与门和或门电路 与门电路 输 入 输出 VA（V） VB（V） VL（V） 0V 0V 5V 5V 0V 5V 0V 5V 0V 0V 0V 5V 或门电路 输 入 输出 VA（V） VB（V） VL（V） 0V 0V 5V 5V 0V 5V 0V 5V 0V 5V 5V 5V §2.1 基本逻辑门电路 三极管非门电路 输 入 输 出 VA（V） VL（V） 0V 5V 5V 0V §2.1 基本逻辑门电路 二极管与门和或门电路的缺点： （1）在多个门串接使用时，会出现低电平偏离标准数值的情况。 （2）负载能力差。 0.7 1.4 §3.1 基本逻辑门电路 解决办法： 将二极管与门（或门）电路和三极管非门电路组合起来。 §3.1 基本逻辑门电路 集成逻辑门分为双极型集成电路和单极型集成电路。双极型集成电路分为：DTL集成逻辑和TTL集成逻辑；单极型集成电路分为一般MOS逻辑和互补MOS逻辑（CMOS） §3.2 TTL逻辑门电路 DTL与非门电路工作原理： （1）当A、B、C全接为高电平5V时，二极管D1～D3都截止，而D4、D5和T导通，且T为饱和导通， VL=0.3V，即输出低电平。 （2）A、B、C中只要有一个为低电平0.3V时，则VP≈1V，从而使D4、D5和T都截止，V