现代半导体物理绪论.pptx

现代半导体物理 汇报人：1016061520 徐浩文 8.2 对光电导材料的要求 8.3 光电导增益 8.2对光电导材料的要求 对光电导材料的要求 探测器 摄像管 红外夜视仪 制导装置预警装置 应急照明 烟雾报警 投影仪 扫描仪 军事领域 基础光电器件 其他领域 对光电导材料的要求 高灵敏度 光电导大 近本征的高纯半导体材料适合做光电导器件 使用禁带宽度较大的材料、冷却半导体材料来减小非光照引起的非平衡载流子 高温 本征激发 暗电流 除了本征光电导外，半导体材料禁带中杂质、缺陷能级和表面、界面能级上的电子在光照射下也可能跃迁到导带，或者价带上的电子跃迁到空着的杂质、缺陷能级和表面、界面能级上，导致导带电子浓度或者价带空穴浓度的变化。这些光电导现象统称为非本征光电导。 对光电导材料的要求 对于材料本身来说，由于直接跃迁比间接跃迁的几率高几个数量级 作为光电导用的材料应尽可能选用直接带隙半导体材料 8.3光电导增益 光电导增益 要使光电探测器有较高增益，则要求非平衡载流子寿命长，运动时间短（迁移率高，电极间距离小）。 总结 01 THANKS