1.绝缘栅场效应晶体管.ppt

E4a014 单极型晶体管E4a0141 结型场效应晶体管E4a01411 结型场效应晶体管 栅源电压对沟道的控制作用 当UGS=0时，在漏、源之间 加有一定电压时，在漏、源间将 形成多子的漂移运动，产生漏极 电流。当UGS＜0时，PN结反 偏，形成耗尽层，漏、源间的 沟道将变窄，ID将减小。 UGS继续减小，沟道继续变 窄，ID继续减小直至为0。当漏 极电流为零时所对应的栅源电压 UGS称为夹断电压UGS(off)。这一 过程如图所示。 漏源电压对沟道的控制作用 当UDS增加到使UGD=UGS-UDS=UGS(off)时，在紧靠漏极处 出现预夹断。当UDS继续增加，漏极处的预夹断区继续向源 极方向生长延长，直至将漏极电流完全夹断为止。 * 场效应晶体管有两种结构形式： 1.绝缘栅场效应晶体管(MOSFET)----增强型 耗尽型 2.结型场效应晶体管(JFET)------只有耗尽型 场效应晶体管在集成电路中被广泛使用，绝缘栅场效应晶体管(MOSFET)分为增强型和耗尽型两大类，每类中又有N沟道和P沟道之分。不像双极型晶体管只有NPN和PNP两类，场效应晶体管的种类要多一些。但是它们的工作原理基本相同，所以下面以结型N沟道场效应晶体管为例来加以说明。 1. 结型场效应晶体管的结构 JFET的结构与MOSFET相似，工作机理相同。 JFET的结构如图01.04.01所示，它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结，形成两个PN结夹着一个N型沟道 图01.04.01 结型场效应管的结构 PN结 区的结构。两个P区连在一起即为栅极G，N型硅的一端是漏极D，另一端是源极S。 根据结型场效应管的结构，只能工作在反偏条件下，才没有栅流。对于N沟道结型场效应管应工作在负栅压区，P沟道的应工作在正栅压区，否则将会出现栅流。现以N沟道为例说明其工作原理。 N沟道 该图右上角出现的是符号。 2.１ 栅源电压对沟道的控制作用 2. 结型场效应管的工作原理 场效应管是一种电压控制电流源器件，它的漏极电流受栅源电压UGS和漏源电压UDS的双重控制。 图01.04.02 栅源电压的控制作用 在漏、源之间加有一定电 压时，在漏、源间的N型沟道 将产生漏极电流。当UGS继续 减小时，N沟道将变窄，ID将 减小。 预夹断 预夹断 图01.04.03 漏源电压对沟道的控制作用 2.2 漏源电压对沟道的控制作用 在栅极加上电压，且UGS＞UGS(off)，若漏源电压UDS 从零开始增加，则UGD=UGS-UDS将随之减小(反向电压增加)。 使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从左至右呈楔形分 布，如图01.04.03所示。 请注意，此ppt课件具有动画效果，为减少单击鼠标次数，有一些动作设置成连续进行，在继续进行的动作没有完成前，不要单击鼠标，否则连续动作的效果将丧失。文字说明见下一页。 请注意，此ppt课件具有动画效果，为减少单击鼠标次数，有一些动作设置成连续进行，在继续进行的动作没有完成前，不要单击鼠标，否则连续动作的效果将丧失。 请注意，此ppt课件具有动画效果，为减少单击鼠标次数，有一些动作设置成连续进行，在继续进行的动作没有完成前，不要单击鼠标，否则连续动作的效果将丧失。简要的文字说明见下一页。 *