基于共振隧穿二极管的GaAs基压力传感器研制.pdfVIP

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2017-03-17 发布于广东
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基于共振隧穿二极管的GaAs基压力传感器研制.pdf

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基于共振隧穿二极管的GaAs基压力传感器研制.pdf

第19卷第5期传感技术学报 V01．19No．5 CHINESE OFSENSORSANDACTUATORS 2006年10月 JOURNAL 0ct．2006 AGaAsPressureSensorBasedonResonant Diodes Tunneling WANG (National ForElectronicMeasurement China，Taiyuan030051，China) KeyLaboratory Technology，NorthUniversityof traditional Abstract：Inordertobreak the limitationofthe mechanical—e一 through physical macroscopically the of sensitivi— 1ectrical the and referencesfor effect，providetheory，processexperimental designhigher Pressure onresonant diodes sensor，aGaAs sensorbased ty，lowerpowerconsumptionpressure tunneling and thecontrolhole the RTD)is technologyfirstly，and (AlAs／In。Gal--xAs／GaAsdesignedprocessedby ofRTDandmicro-mechanicalis testresultsshowthat processintegration technologyimplemented．The thelinear is to0．1mV／kPa． sensitivityup hole sensor；controltechnology Keywords：RTD；GaAs；pressure EEACC：2575D 基于共振隧穿二极管的GaAs基压力传感器研制王建”，张文栋，薛晨阳，熊继军，张斌珍，仝召民 (中北大学电子测试技术国家重点实验室，太原030051) 摘要：为了突破传统的机电转换效应的宏观物理局限，为更高灵敏度、更低功耗的微／纳机电压力传感器的设计提供理论、 GaAs基薄膜压力传感器，实现了RTD工艺与微机械加工技术的工艺集成．测试结果表明：该压力传感器的线性灵敏度达到 0．1mV／kPa．关键词：共振隧穿二极管；GaAs；压力传感器；控制孔工艺中图分类号：TN315；TH812 文献标识码：A 当前，NEMS(或称纳系统)是继MEMS之后在中的应力分布将发生变化；一定条件下应力变化可引系统特征尺寸和效应上具有纳米技术特点的一类超