第三章扩散工艺6解说.ppt

第三章 扩散工艺 扩散是微观粒子（原子、分子等）的一种极为普遍的热运动形式，运动结果使浓度分布趋于均匀。 条件： 浓度差 热运动存在 集成电路制造中的固态扩散工艺简称扩散，是将一定数量的某种杂质掺入到硅晶体中或其他半导体晶体中去，以改变电学性质，并使掺入的杂质数量、分布形式和深度等都满足要求。 扩散是掺杂的一种方法。 3.1 杂质的扩散机构 主要可分为以下两种机构， 替位式式扩散和间隙式扩散。 存在于晶格间隙的杂质称为间隙式杂质 间隙式杂质从一个间隙位置到另一个间隙位置上的运动称为间隙式扩散 占据晶体内晶格格点上的正常位置的杂质原子，称替位杂质 替位杂质从一个晶格位置运动到另一个晶格位置上称为替位式扩散 替位杂质的近邻晶格上出现空位，替位杂质才能比较容易的运动到近邻空位上。当近邻没有空位时，通过换位才能实现替位杂质从一个晶格位置运动到另一个晶格位置上，这种换位会引起周围晶格发生很大的畸变，需要相当大的能量，这个过程是难以实现的。 替位杂质的运动同间隙杂质相比一般来说更困难 3.2 扩散系数与扩散方程 扩散是随机跳动产生的原子运动，如果存在杂质浓度梯度则将产生杂质的净扩散流。 决定扩散运动重要因素： 浓度差、温度、粒子大小、晶体结构、缺陷浓度以及粒子运动方式 扩散的结果： 粒子浓度趋于平衡 3.2.1 菲克第一定律 1855年，菲克（Fick）提出描述物质扩散的第一定律, 他认为,如果在一个有限的基体中存在杂质浓度梯度 ，则杂质将会产生扩散运动，而且扩散方向是指向浓度低的方向。 菲克第一定律： 杂质的扩散流密度正比于杂质浓度梯度 扩散粒子密度J： 单位时间通过单位面积的杂质数 D为扩散系数，单位是cm2/s C(x,t)杂质浓度 负号表示粒子是从浓度高向浓度低处扩散即逆浓度梯度的方向而扩散 3.2.2扩散系数D 表征扩散能力的重要参数。 它的数值越大，表示扩散得越快，在相同时间内，在晶体中扩散得越深其数学表达式为： D=D0exp（-△E/kT） 式中 ： △ E扩散过程中的激活能，实际上就是杂质原子扩散时所必须克服的某种势垒。 D0 ：温度T为无穷大时，扩散系数D的表观值。 k ：玻耳兹曼常数，其值为：8.62?10-5ev/0k T：绝对温度（ k）。 几种杂质在硅中的D0和?E的数值 D=D0exp（-△E/kT） 温度越高，扩散系数D越大，杂质在硅中的扩散就进入得越快。 温度一定，不同杂质在同一种材料中的D不同的，同一种杂质在不同材料中的D不同的。 同时，D还与衬底晶向，晶格完整性，衬底材料的本征浓度、扩散杂质的表面浓度有关 3.2.3 扩散方程（第二菲克定律） 我们分析一下一维情况下，沿扩散方向，从x到x+△x,面积为△S的一个小体积元内的杂质数量随时间的变化情况。 如果体积元内的杂质不产生也不消失，则（3-10）=（3-11）有 3.3 扩散杂质的分布 由扩散方程以及边界条件和初始条件不同，扩散方程的解不同，杂质在硅中的分布也不同。 目前，扩散分布主要有两种： 恒定表面源扩散、有限表面源扩散 3.3.1恒定表面源扩散 在整个扩散过程中，硅片表面始终暴露在具有恒定而均匀的杂质源的气氛里。即表面的杂质浓度Ns始终不变。 边界条件: C（0，t）=Cs x=0 初始条件：在扩散的开始时间(t=0）,除了Si表面（x=0）与杂质气体接触外，Si片内部各点都没有杂质扩进去，即 C（x，0）= 0 t=0 得到方程组：C（0，t）=Cs x=0C（x，0）=0 t=0 恒定表面源扩散在硅片内部形成的杂质分布是余误差函数分布。当表面杂质浓度Cs，杂质扩散系数D，以及扩散时间T确定时，杂质的扩散分布也就确定了. 恒定表面源扩散的特点 1.杂质分布形式：