霍尔效应及其相关效应素材.pptxVIP

霍尔效应 霍尔效应 在半导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得半导体中的电子与空穴受到不同方向的洛伦兹力而在不同方向上聚集，在聚集起来的电子与空穴之间会产生电场。 此电场将会使后来的电子和空穴受到电场力的作用而平衡掉磁场对其产生的洛伦兹力，使得后来的电子和空穴能顺利通过不会偏移，此称为霍尔效应。 霍尔效应的应用 量子霍尔效应 热霍尔效应 量子反常霍尔效应 自旋霍尔效应 Corbino效应 霍尔效应 - 相关效应 霍尔效应 - 副效应 Spin Hall Effect Anomalos Hall effect Hall Effect Quantum Spin Hall effect Quantum Anomalous Hall Effect Integer Quantum Hall Effect Fractional Quantum Spin Hall Effect Fractional Quantum Anomalous Hall Effect Fractional Quantum Hall Effect 垂直磁场的薄圆碟会产生一个圆周方向的电流。 I To read the full article 自旋量子霍尔效应：电子在边界上走 在特定的量子阱中，在无外磁场的条件下(即保持时间反演对称性的条件下)，特定材料制成的绝缘体的表面会产生特殊的边缘态，使得该绝缘体的边缘可以导电，并且这种边缘态电流的方向与电子的自旋方向完全相关。它最初由 Kane 和 Mele 在理论上预言，实验上在 HgTe 量子阱中被真正观测到。 因此电子有沿一个方向走的，也有沿反方向走的。它们数目相等，因此没有净电流，没有霍尔电导。但是这两种沿不同方向propagating的电子的自旋方向相反，因此有一个净的自旋流，而且类似于霍尔效应，这个自旋流的自旋conductance也是量子化的，因此称为自旋量子霍尔效应。 霍尔效应里电子在某一个边界上只沿一个方向走。而在自旋量子霍尔效应中，每一个边界上有两条边界态构成的band，每有一个（k，+）态，那么有一个另一个band上对应的（-k,-）态，这儿后面的+,-代表自旋。 To read the full article 量子霍尔效应 整数量子霍尔效应 分数量子霍尔效应 量子霍尔效应：一般被看作是整数量子霍尔效应和分数量子霍尔效应的统称。 K. Von Klitzing，G. Dorda，M. Pepper冯·克里岑于1979年在1.5K温度和18.9T磁场下测量金属-氧化物-半导体效应晶体管的霍尔电阻时发现，霍尔常数（强磁场中，纵向电压和横向电流的比值）是量子化的，霍尔电阻RH=h/ne2，n=1,2,3。这种效应称为整数量子霍尔效应。 进而崔琦(D. Tsui)、施特默(H. Stormer)和赫萨德(A.Gossard)发现，随着磁场增强，在n＝1/3,1/5,1/7…等处，霍尔常数出现了新的台阶。这种现象称为分数量子霍尔效应。 整数量子霍尔效应 冯·克里岑(K. Von Klitzing)，G. Dorda，M. Pepper于1979年在1.5K温度和18.9T磁场下测量金属-氧化物-半导体效应晶体管的霍尔电阻时发现，霍尔常数（强磁场中，纵向电压和横向电流的比值）是量子化的，霍尔电阻RH=h/ne2，n=1,2,3。这种效应称为整数量子霍尔效应。 通过某种手段将电子限制在二维平面内, 在垂直于平面的方向施加磁场, 沿二维电子气的一个方向通电流, 则在另一个方向也可以测量到电压VH。 量子霍尔效应与霍尔效应最大的不同之处，在于横向电压VH对磁场的响应明显不同。横向电阻RH是量子化的。由此我们称这一现象为量子霍尔效应。 在强磁场下, 导体内部的电子受洛伦兹 ( Lorentz)力作用不断沿着等能面转圈(Lorentz 力不做功)。如果导体中存在杂质, 尤其是带电荷的杂质, 将会影响等能面的形状。 实际上, 导体内部的电子只能在导体内部闭合的等能面上做周期运动, 而不能参与导电。(因此在很纯净的样品中反而观察不到量子霍尔效应!) 物理机制 在量子霍尔效应中, 真正参与导电的实际上是电子气边缘的电子.而边缘的电子转圈转到一半就会打到边界, 受到反弹, 再次做半圆运动, 由此不断前进. 这种在边界运动的电子, 与通常在导体内部运动的电子不同, 它不是通过不断碰撞, 类似扩散的方式前进的. 而是几乎不与其他电子碰撞, 直接到达目的地, 像一颗子弹. 因此这种现象在物理学中被称为弹道输运(ballistic transport). 显然在这种输运机制中产生的电阻不与具体材料有关, 只与电子本身所具有的性质有关. 因此横向电阻总是h/ne2, 其中 n 是一个正整数. 之所以与 n 有关, 粗略地说, 是因