电工电子学_电子技术_第14章.ppt

举例2 在图示电路中，已知ui=2sinωtV；E1=E2=1V，求输出电压uo的波形。 uo R ui D1 D2 E1 E2 ui uo t t 2 1 1 一、稳压二极管 U I IZ IZmax ?UZ ?IZ 稳压误差 曲线越陡，电压越稳定。 + - UZ 动态电阻： rz越小，稳压性能越好。 §14.4 稳压二极管 1.稳压二极管的特性 工作在方向击穿状态 （4）稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。 （5）最大允许功耗 2.稳压二极管的参数: （1）稳定电压 UZ （2）电压温度系数?U（%/℃） 稳压值受温度变化影响的的系数。 （3）动态电阻 uo iZ DZ R iL i ui RL 3.稳压电路 当电源电压波动时 当负载电阻变化时 当输出电压有较小变化时，将引起稳压管电流较大的变化，通过电阻的补偿作用保持输出电压基本不变。 ui↑→uo↑→uZ↑→iZ↑↑→i↑→iR↑→uo↓→uZ↓ RL↓→iL↑→i↑→ iR ↑→uo↓→uZ↓→iZ↓↓→i↓→iR↓→uo ↑ 结构简单成本低，适用于负载电流较小的场合。 但稳定性能不高，输出电压不能调节。 应用举例 uo iZ DZ R iL i ui RL 稳压管的技术参数: 负载电阻 。 要求当输入电压由正常值发生?20%波动时，负载电压基本不变。 解：令输入电压达到上限时，流过稳压管的电流为Izmax 。 求：电阻R和输入电压 ui 的正常值。 ——方程1 令输入电压降到下限时，流过稳压管的电流为Izmin 。 ——方程2 uo iZ DZ R iL i ui RL 联立方程1、2，可解得： 反向电流随光照强度的增加而上升。 I U 照度增加 二、光电二极管 有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似。 三、发光二极管 一、基本结构 §14.5 半导体三极管 平面型 B E C B E C P P 合金型 N型锗 铟球 铟球 N型硅 N型硅 二氧化硅保护膜 P型硅 B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 发射结 集电结 基本结构示意图（一） N N P B E C 基极 发射极 集电极 NPN型 PNP型 基本结构示意图（二） P N P 集电极 基极 发射极 B C E B E C 符号 B E C 符号 B E C IB IE IC NPN型三极管 B E C IB IE IC PNP型三极管 B E C N N P EB RB EC IE 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 IBE 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 二、电流放大原理 B E C N N P EB RB EC IE 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 ICBO IC=ICE+ICBO?ICE IBE ICE 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。 IB=IBE-ICBO?IBE IB B E C N N P EB RB EC IE ICBO ICE IC=ICE+ICBO ?ICE IBE IB+IC=IE 3. 三极管起电流放大作用的必要条件： 发射结正偏，集电结反偏。 2. 较小基极电流IB 的变化能引起较大的集电极电流IC的变化，三极管具有电流放大作用。 1. IB＜＜IC，IC≈IE，IE=IB+IC IC mA ?A V V UCE UBE RB IB EC EB 实验线路 三、特性曲线 基极回路或输入回路 集电极回路或输出回路 1.输入特性 （非线性） UCE ?1V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 工作压降： 硅管UBE?0.6~0.7V,锗管UBE?0.2~0.3V。 UCE=0V UCE =0.5V 死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。 当uCE一定时iB与uBE的关系曲线 即iB=f（uBE）│uCE=常数 在不同的uCE下曲线有所不同，特点是一曲线族。 * 电 子 技 术 第14章 二极管和晶体管 第15章 基本放大电路 第16章 集成运算放大器 第17章 电子电路中的反馈 第18章 直流稳压电源 第20章 门电路组合逻辑电路 第21章 触发器和时序逻辑电路 第14章 二极管和晶体管 § 14.1 半导体的基本知识 § 14.2 PN结及其单向导电性 § 14.3 二极管 § 14.