Ch5CMR效应和强关联电子本部分内容教学课件.pptVIP

Ch 5，CMR效应和强关联电子本章内容 第一部分 重新研究反铁磁性 第二部分 为甚麽 是 反铁磁性绝缘体？ 第三部分 CMR的实验和双交换模型 (重点） 第四部分 Jahn－Teller 效应 第五部分 电荷、自旋、轨道有序和 相分离 第一部分 重新研究反铁磁性 为甚麽对 “ Manganites”有兴趣？ 1，MR非常大(早期） 2，锰氧化物和High-Tc铜氧化物“相似” 3，从简单固体（能带和对称破缺）到 复杂固体（自旋液体等）的转变点 1986年 High Tc 开创物理学新的一页 （物理机制的困扰） High Tc遇到CMR 由“钙钛矿结构的AFM绝缘体” 通过掺杂得到High Tc、CMR材料及其他 从能带、对称破缺到强关联 反铁磁性向传统的“能带论”和“自发破缺”挑战 ―Mott绝缘体 ―正确的反铁磁基态？ ―掺杂反铁磁体的Mott转变性质？ ―电荷、自旋、轨道有序之间的关系？ ―量子相分离、自旋液体、网状序等新的物质状态？ 从简单固体（能带和对称破缺） 到复杂固体（自旋液体等）的转变点 Ti、Mn、Cu电子态DOS示意图 第二部分 是反铁磁性绝缘体？（1）  Mn原子 是反铁磁性绝缘体？（2） 是反铁磁性绝缘体？（3） eg 电子的 能量较高 t2g电子的 能量较低 是反铁磁性绝缘体？（4） Mn3+的自旋状态 4个d－电子自旋平行， 电子强关联 1×巡游电子, S=1/2 3×局域电子, S=3/2 是反铁磁性绝缘体？（5） 一，自旋位形？ 每个Mn格点上，4个d电子自旋平行 相邻Mn格点间，氧的超交换作用，自旋相互反平行 这是，反铁磁性排列 二， 电荷分布？ 每个Mn格点上一个eg电子有可能巡游。但是， 跃迁能量 t 库仑能量 U，无法“跳跃”“巡游” 这是，绝缘体 第三部分：CMR和双交换模型 早期实验事实（1950s） Jonker 和 Van Santen 的发现 当x＝0 和1， 为 反铁磁性、绝缘体 当0。2 x 0。4， 为 铁磁性、金属 CMR的再发现（1）1990s 大磁电阻 相变： 铁磁、金属― 顺磁、绝缘体 CMR的再发现（2） CMR= 99.99 % Mott转变转变 CMR的再发现（3） 压力效应（上图） 类似 磁场效应（下图）: 提高Tc 降低电阻率。 掺杂材料 的电子结构（1） 电荷掺杂成为导体（Jonker Van Santen 1950） 掺杂过程：一个La3+被A2+替代， 造成一个Mn3+丢失eg电子变为一个Mn4+。 （2＋）（4＋）＝（－2)×3 Mn4+只有三个t2g电子，提供了一个“空穴”！ 掺杂后：形成 Mn3+/ Mn4+ 混合价状态 Mn3+格点上的eg电子, 跳跃前、后的状态能量简并。 这就是导体。 掺杂材料 电子结构（2） 极限情形：掺杂到x=1，在AMnO3中， Mn离子全部是Mn4+ ， 形成离子自旋为S=3/2的局域自旋的晶格， 还是反铁磁绝缘体。 结论：反铁磁绝缘体（X＝0） → 铁磁导体（0。2 X 0。4） →反铁磁绝缘体（X＝1） 交换模型（1） （Zener 1951） Mn3+ 与 Mn4+交换 双交换： （两次跃迁过程） eg电子→氧离子 氧离子电子→ Mn4＋ 双交换模型（2）从Mn3＋“跃迁”到Mn4+ 1，Mn4＋ 无eg 电子，eg电子间库仑能不会变化，但是 2，eg电子与局域t2g自旋间的洪德耦合会改变 解释：Mn3＋ 和Mn4＋之间，自旋夹角为 θ。 eg在局部自旋平行态（Mn3＋），能量＝－JH eg到了局部自旋平行态（Mn4＋），能量＝－JH cosθ