模拟电子技术_第1章_常用半导体器件_场效应管_刘广孚.ppt

第一章 常用半导体器件 第一章 常用半导体器件 第一章 常用半导体器件 第一章 常用半导体器件 第一章 常用半导体器件 ?1.5 场效应晶体管（FET） * §1.5 场效应晶体管 绝缘栅场效应晶体管（MOSFET ） 结型场效应晶体管 （JFET ） 场效应晶体管的参数 思考的问题： 三极管（BJT）工作时，总是从信号源吸取电流,它是一种电流控制型的器件，输入阻抗较低。 那么，场效应管（FET）是通过什么方式来控制的？有什么特点？ × * 场效应管晶体管（Field Effect Transistor，FET）是利用电场效应来控制的有源器件，在集成电路（IC）以及微波电路中得到广泛应用。 ?1.5 场效应晶体管（FET） 半导体管的特点: 体积小 重量轻 耗电省 寿命长 …… FET的特点: 输入电阻高（MOSFET最高可达1015Ω） 噪声系数低 热稳定性好 工作频率高 抗辐射能力强 制造工艺简单 …… * ?1.5 场效应晶体管（FET） 场效应晶体管属于单极型晶体管。 按照结构特点，场效应晶体管可分两大类： 绝缘栅型场效应管 （Insulated Gate Field Effect Transister，IGFET） 结型场效应管 （Junction Field Effect Transister,JFET） √ * 1.5.1 绝缘栅场效应晶体管 N沟道增强型MOSFET N沟道耗尽型MOSFET P沟道增强型MOSFET P沟道耗尽型MOSFET 绝缘栅型场效应管(Insulated Gate Field Effect Transister，IGFET)，多为金属-氧化物-半导体场效应管， ( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transister，MOSFET 或 MOS管)。 √ √ * 1 N沟道增强型MOSFET的结构 以P型半导体为衬底，用B表示。 氧化生成一层SiO2 薄膜绝缘层。 用光刻工艺腐蚀出两个孔。 扩散两个高掺杂的N型区，形成两个PN结。 从N型区引出电极，一个是漏极D(Drain，相当于C)，一个是源极S(Source，相当于E)。 在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G(Grid，相当于B)。 * 1 N沟道增强型MOSFET的结构 栅极G相当于B 漏极D相当于C 源极S相当于E 衬底在内部与源极相连 衬底未与源极相连，D与S可互换。 * 2 N沟道增强型MOSFET的工作原理 栅源电压UGS对沟道会产生影响 漏源电压UDS对沟道产生影响 1．栅源电压UGS的控制作用 先令漏源电压UDS=0，加入栅源电压UGS以后并不断增加。 UGS带给栅极正电荷，将正对SiO2层的表面下的衬底中的空穴推走，形成一层负离子层，即耗尽层，用绿色的区域表示。 同时在栅极下的表层感生电子，当电子数量较多时，在漏源之间可形成导电沟道。 沟道中的电子和P型衬底的多子导电性质相反，称为反型层。此时若加上UDS ，就会有漏极电流ID产生。 反型层 * 2 N沟道增强型MOSFET的工作原理 1．栅源电压UGS的控制作用 显然改变UGS就会改变沟道，从而影响ID ，这说明UGS对ID的控制作用。 当UGS较小时，不能形成有效的沟道，尽管加有UDS ，也不能形成ID 。 当增加UGS，使ID刚刚出现时，对应的UGS称为开启电压， 用UGS(th)或UT表示。 反型层 栅源电压UGS对沟道会产生影响 漏源电压UDS对沟道产生影响 * 2．漏源电压UDS的控制作用 设UGS＞UGS(th)，增加UDS，沟道将发生变化。 显然漏源电压会对沟道产生影响，因为源极和衬底相连接，所以加入UDS后， UDS将沿漏到源逐渐降落在沟道内，漏极和衬底之间反偏最大，PN结的宽度最大。所以加入UDS后，在漏源之间会形成一个倾斜的PN结区，从而影响沟道的导电性。 当UDS进一步增加， ID不断增加,同时，漏端的耗尽层上移，在漏端出现夹断，称为预夹断。 预夹断 当UDS进一步增加时， 漏端的耗尽层向源极伸展，此时ID基本不再增加，增加的UDS基本上降落在夹断区。此时ID只受UGS控制，进入线性放大区。 * N沟道增强型MOSFET的特性曲线 转移特性曲线 漏极输出特性曲线 * 1) N沟道增强型MOSFET的转移特性曲线 N沟道增强型MOSFET的转移特性曲线如左图所示，它是说明栅源电压UGS对漏极电流ID的控制关系，可用这个关系式来表达，这条特性曲线称为转移特性曲线。 * 1) N沟道增强型MOSFET的转移特性曲线