宽频低THD高μi铁氧体材料的制备.pdf

宽频低TI-ID高Il l铁氧体材料的制备 黄刚 (宜宾金川电子有限责任公司l四Jll宜宾6“005) 1前言 高磁导率Mn忍n铁氧体材料是为适应电子通信、新型电子照明设备的高电感量和小型 轻薄化的需求而发展起来的，其应用十分广泛，尤其在当今通信领域里，数字网络通信、 光纤通信技术及设备以飞快的速度发展，迫切需要高磁导率№1．殛铁氧体磁心制作的滤波 器、宽带变压器和脉冲变压器等电子器件。但与此同时，通信设备对高磁导率№-Zn铁氧 体材料的性能也提出了诸如宽频、高传输速率、低谐波失真等要求，可以说，宽频、低谐 波失真是高pi铁氧体材料的主要发展方向之一。本文仅对该类材料的相关制备技术作一简 要概述，供有关人员参考。 2使用要求及性能指标 随着网络技术的发展，xDSL(包含非对称数字用户线ADSL和对称数字用户线SDSL 等传输形式)通信技术得到广泛应用。在xDSL调制鹪调器的变压器中，要用铁氧体磁心 元件来实现线路隔离、阻抗匹配和高低通滤波。为减少传输信号错误、降低噪音、提高信 Harmonic 号传输精度，需要变压器的总谐波失真THD(TotalDistortion)很小。而THD与 铁氧体材料性能、磁心几何形状和变压器结构设计直接相关。 6，(u 就磁心而言，THD与材料的磁滞常数rIB成正比关系。由于nB=Atge×AB)， 它表征铁氧体材料在一定磁通密度变化情况下的损耗特性，因此，为减小rlB，就要求铁氧 体材料的晶粒细小、均匀，尽量避免另相和气孔，这可以通过选择高纯原材料、控制微观 结构和提高烧结密度等措施来实现。这类材料的典型牌号有EPCOS公司的T38i(RMl0K)、 RMl0K材料的典型磁性能为：u DN70(RM7K)等，其中宽频低liD i=10000+_30％ (f=lOkHz，B0．25roT)，Bs=390mT(25。C)，n ·48· 3关键技术及解决方案 众所周知，起始磁导率ta i是高导材料的重要参数之一，ta i与材料的饱和磁化强度Ms、 磁晶各向异性常数K1、磁致伸缩系数入s以及内应力。等密切相关，可以表示为：tl；。cMs2／ (2K1+3入s o)。由于Ms的变化范围很小，所以铁氧体的不同配方组份所获得的磁导率差 异主要是由Kl、九s和。造成的，当Kl、入s与。同时趋近于最小时，就会获得最高的u； 值。但I箍着u i值的提高，材料晶界变薄，同时不可逆壁移出现，从而导致损耗上升，居里 点下降，使材料的应用价值受到限制，所以在研制宽频低THD RMIOK材料时，必须对配 方组份中的基本成分、改善ui—f特性、降低材料损耗、优选添加物种类和数量以及提高 烧结密度等方面进行控制。另外，根据Snock公式可知，u，与材料截止频率fr之间相互制 约，改善材料的ui—f特性与片面提高u i值是相互对立的，在实际开发中为使材料的ui 具有宽频特性，一般会适当降低材料的u；值。 1)原材料的要求为制备宽频低THD高u i材料，对原材料的纯度和低杂质要求很高， 特别对Fe203来说，一方面它在配方中占70％(wt)以上的份额，是最为关键的主结构原 料，另一方面，磁性材料用Fe203大多是Ruthner工艺的产物，其生产过程中通常不可避免 高ui材料的主要因素，尤其是其中的si2+、C1。、S042-，对铁氧体的影响很大，主要表现为 影响晶粒的非正常生长，造成晶格缺陷，从而影响铁氧体的微观结构和内祟特性。下表列 出了宽频低T