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单结晶体管混沌电路 1. 外激励非线性LC 谐振电路 单结晶体管可选 BT33D, 电路如下。 这是串联的强迫振荡电路,非线性电阻(R2)即单结晶体管,电感 L 和电容C,电阻R1、R3都是线性元件。电阻R3(也是电流取样电阻)和电源构成了单结晶体管的偏置电路。 L=30mH, C=0.03μF, R1=125Ω, R3=33.8kΩ, Ec=28V 电路中的混沌状态 设驱动为: 以f 与u0为该电路的两个可变参数,研究取不同的数值时系统的运动状态: 研究发现存在以下一些工作状态: ① 驱动电压的幅度 u0=0时,电路处于单稳状态; ② 固定驱动电压幅度,改变驱动信号的频率 f ,当逐步接近电路的固有频率 时,电路出现突变的锁频状态; ③ 固定驱动电压的频率f,将驱动电压的幅度u0由小到大增加,在 u0的一定变化范围内出现倍周期分岔与混沌运动。但在不同频率 f 下,出现倍周期分岔与混沌的u0值范围不同,倍周期分岔与混沌的过程也不一样; ④ 当 f 远离 f0 时,随输入信号幅度值逐步升高,电路出现倍周期分岔-混沌-反倍周期的过程; ⑤ 当u0值进一步升高时,倍周期分岔与混沌现象消失,电路表现出一般非线性电路所共有的畸变波形的特征。 1.外激励非线性LC 谐振电路 电路中的混沌状态 设驱电压动为: 以f 与u0为该电路的两个可变参数,研究取不同的数值时系统的运动状态: 固定驱动电压的频率f,将驱动电压的幅度u0由小到大增加,在 u0的一定变化范围内出现倍周期分岔与混沌运动。 1.外激励非线性LC 谐振电路 这是一个广泛研究过的电路。通常它由电阻 R,电感L与一只硅二极管 D 阻成。硅二极管在反向偏置时其极间电容即为回路电容,且其容量随电压变化而变化,但与所加电压是非线性关系。正向偏置时为一直流电压源。图中右侧的场效应管电路是提高输入阻抗以便用示波进行测量。 电路中,R=100W,L=0.25H。 1.外激励非线性LC 谐振电路 二极管-电感混沌电路 二极管-电感混沌电路 实验时,电路上加上正弦电压,并使外加电压频率与由电感和二极管反向电容组成的回路的固有频率相接近,即接近共振状态。逐步改变输入电压的大小,同时用示波器检测二极管上的电压波形。 当输入电压很小时,输出电压为高度相等的整流波形。随着外加电压的增加,二极管上出现一串高度不等的整流波形电压。这时二极管电压经历了倍周期分岔,并最终进入混沌。 根据实验测波形可以计算费根鲍姆常数等各项常数,结果如表。 11―15db 13.2db 功率谱中平均峰高比 6.3±0.3 6.619 噪声指数 2.4±0.1 2.50… 费根鲍姆第二常数 4.26±0.1 4.66920… 费根鲍姆第一常数 实 验 值 理 论 值 各项数值 1.外激励非线性LC 谐振电路 2.微分方程模拟电子电路 能产生混沌行为的典型非线性常微分方程是由三个独立变量的一阶微分方程,如洛伦兹方程或罗斯勒方程。 在研究动力系统的相图时,常将一个二阶微分方程化为两个一阶方程。同样地,可以通过数学上变换,可将三个一阶微分方程化为一个三阶微分方程来。因此可将产生混沌行为非线性微分方程写成一个三阶方程: 式中 为各项系数, 为一非线性函数,系数 为包括 0在内的各种正负常数,因此从一般方程可变换出许多形式的非线性方程。但不是所有的方程都具有混沌行为。三阶方程的系统有三个李雅普诺夫指数 ,具有混沌行为要求至少有一个是正值。 一个系统的李雅普诺夫指数之和代表了相体积沿轨道的平均变化速率,如果三个指数之和小于零, ,系统相体积在运动中会逐渐减小,是耗散系统;如等于零, ,相体积不变,此为保守系统。 三阶非线性微分方程 非线性函数电路 2.微分方程模拟电子电路 非线性函数 f(x) 在电路上可用二极管及线性放大器的适当的联接来实现。 * 第三章 走向混沌的道路 一个动力学系统运动的充分发展是进入混沌状态。进入混沌状态有哪些方式呢?这是非线性动力学研究中的一个重要问题。 第五节 保守系统中的不规则运动 1.可积与不可积系统 2.扰动与KAM定律 3. 有理环面破裂与同(异)宿结构 4. 阿诺德扩散 5. 标准映射 保守系统 1.可积与不可积系统
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