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高溫爐系統圖  石英桿必須以單手操作以免燙傷。 晶片移入高溫爐時要慢慢移動。 半導體專題實驗 實驗五 氧化層之成長與厚度量測 以乾氧與濕氧方式成長氧化層 量測其厚度 探討氧化條件和厚度的關係 目的: Oxidation in Semiconductor A Typical MOS Profile Screen Oxide, Pad Oxide, Barrier Oxide 熱成長氧化層的機制與模型 乾氧生長(O2) ; 濕氧生長(H2O) 成長X厚度的SiO2 需消耗0.44X厚度矽 溫度越高 生長速度越快 氧化品質越佳 Introduction 氧化層的形成方法可以分成兩種: 非消耗性的氧化層沉積 化學氣相沉積法 (CVD) 物理氣相沉積法 (PVD) 消耗性的氧化層沉積 乾式氧化 (Dry Oxidation) 濕式氧化 (Wet Oxidation) ? Si (s) + O2 (g) → SiO2 (s) ?Si (s) + 2H2O (g) → SiO2 (s) + 2H2 (g) 熱成長氧化層的機制與模型(I) 為什麼叫做“消耗性”氧化層?? 將矽基材置於含氧的條件下，在矽表面氧化形成一層二氧化矽。由於該層二氧化矽會消耗部份的矽表層，我們將之歸類為消耗性氧化性成長 t 0.55 t 0.44t Original silicon surface Silicon Oxide 熱成長氧化層的機制與模型(II) Model: Flicker’s Law: J=D(No-Ni)/Xo Reaction rate: J=Ks*Ni dXo/dt = J/M =(D*No/M) / (Xo+D/Ns) A=2D/Ks , B=2D*No/M ? = Xi2/B + A*Xi/ B Xi為一開始氧化層的厚度 ?X0可以看成 Xo(t)=B/A (1+ ?) 當經過一段長時間後, ? Xo(t)=(Bt) 1/2 ? J=D*No/(D/Ks+Xo) SiO2 Si No Ni ? Xo(t)=A/2 ((1+ ( 4B/A2 ) *(t+?) )0.5-1) 熱成長氧化層的機制與模型(III) 當氧化層有相當厚度時，氧在 SiO2 內的擴散常數會相對變低，因為氧的擴散能力不足，Si-SiO2 介面的氧分子濃度將趨於零，而 SiO2 表面的含氧量也因此將與氣相內的含氧濃度相當，此時的氧化速率將由氧分子在二氧化矽中的擴散速率所主導，又稱為 diffusion control case。 反之，在氧化層厚度很薄的狀況下，氧分子在 SiO2 的擴散係數相對於 SiO2 是足夠大時，此時的氧化速率將由氣氛中的氧分子濃度及氧化反應常數 Ks 所主導，又稱為 reaction control case。 熱成長氧化層的機制與模型(IV) 影響氧化的因素: 氧化溫度 晶片方向 氧化壓力 雜質濃度 表面清洗 速率: 溫度高 溫度低 速率: (111) (110) (100) 速率: 壓力高 壓力低 氧化層成長的方法及其應用 氧化層厚度與其顏色之關係 隨著厚度的變化可以看到不同的顏色,雖然在現今先進的Fab廠中已不再使用來做為厚度觀測的方式,但仍然是一項可以快速用來觀察是否有明顯的不平坦的情況發生 DRY WET X2＋A*X＝B*（t＋τ） X表示氧化層厚度 t表示反應時間 τ為成長到native oxide厚度所需之時間 Deal－Grove Model Deal－Grove Model X2＋A*X＝B*（t＋τ） 當t很短時，X很薄，X2＜＜A*X，上式趨近為 A*X＝B*（t＋τ） X＝B*（t＋τ）/A 此時稱為linear growth regime 或linear rate regime B/A稱為Linear rate Constant，受控於K（反應速率）  Deal－Grove Model X2＋A*X＝B*（t＋τ） 當t很長時，X變厚，X2＞＞A*X，上式趨近為 X2＝B*（t＋τ） 此時稱為diffusion-limited regime 或parabolic rate regime B稱為Parabolic rate Constant，受控於D （oxidant在SiO2內之擴散速率） 氧化層厚度與其顏色之關係 利用氧化層顏色變化判斷厚度概值，主要是因為在氧化層表面反射和在矽晶片表面反射的兩道光線，因為具有光程差而形成干涉現象產生，而產生建設性干涉的條件為： Δφ＝2*N*π 利用HF進行蝕刻，將晶片上下進出HF溶液，將氧化層蝕