第2章逻辑门电路答题.ppt

第2章 逻辑门电路 第2章 逻辑门电路 2.1　半导体二极管、三极管和MOS管的开关特性 2.2　TTL集成门电路 2.3 CMOS集成门电路 2.1　半导体二极管、三极管和MOS管的开关特性 2.1.1 半导体二极管的开关特性 1．开关作用（静态特性） 在图2.1.2（a）中，当输入电压ui为高电平UIH时，二极管VD导通，二极管VD可等效为一个闭合开关（两端电压约为0.7V），见图2.1.2 (b)。 当输入电压ui为低电平UIL，且小于0V时，二极管VD受反向电压截止，其反向电流极小，二极管呈现很高的电阻。这时，二极管VD可等效为一个断开的开关，见图2.1.2 (c)。 2．开关时间参数（动态特性） 在图2.1.2 (a)所示电路中输入图2. 1.3 (a)所示的快速脉冲电压，二极管的动态工作过程如下。 反向恢复时间：当输入电压ui由正值UIH跃变为负值UIL的瞬间，VD并不能立即截止，而是在反向电压UIL的作用下，产生了很大的反向电流IL ，经过一段时间trr后二极管才进入截止状态，如图2. 1.3 (b)所示。我们把trr称作反向恢复时间（又称关断时间）。 正向导通时间：二极管VD由截止转为导通所需的时间称为正向导通时间（又称为开通时间）。这个时间比反向恢复时间trr小得多，所以一般情况下可以忽略不计，而只考虑反向恢复时间。一般开关二极管的反向恢复时间trr只有几个纳秒 2.1.2 半导体三极管的开关特性 1．开关作用（静态特性）当输入电压为低电平ui=UIL时，三极管截止。等效电路如图2.1.5(a)。当输入电压为高电平ui=UIH时 ，三极管饱和。等效电路如图2.1.5(b)。 2．开关时间参数（动态特性） 开通时间(ton)： 三极管由截止到饱和导通所需要的时间，称为开通时间. 关断时间(toff)： 三极管由饱和导通到截止所需要的时间，称为关断时间. 如图2.1.6所示 2.1.3 MOS管的开关特性 1．开关作用（静态特性） 当时ui﹤UGS(th)N时，NMOS管工作在截止状态。等效电路如图2. 1.7（b）所示。 当时ui﹥UGS(th)N时，漏极D与源极S间导通，导通电阻很小，等效电路如图2. 1.7（c）所示。 2．开关时间参数（动态特性） 开通时间 关断时间 2.2 TTL集成门电路 2.2.1 TTL与非门 1．TTL与非门的工作原理 (1)电路结构：如图2.2.1所示：多发射极晶体管V1和电阻R1构成输入级。其功能是对输入变量A、B、C实现与运算。晶体管V2和电阻R2、R3构成中间级，晶体管V3、V4、V5和电阻R4、R5构成输出级。 (2)工作原理：当输入端至少有一端接低电平时，输出为高电平；当输入端全部接高电平时，输出为低电平。电路的输出和输入之间满足与非逻辑关系 。 2．TTL与非门的电压传输特性 AB段：ui0.6V。输入低电平，V1导通，V2、 V5截止，V3微饱和导通，V4导通，uo=UOH=3.6V，属于”关门”状态。 BC段：ui=0.6V~1.4V。输入超过标准低电平。uo随ui升高而下降。这一段UB5小于0.7V，V5截止。 CD段：ui≈1.4V。V2导通电流较大，使V5很快由导通转为饱和，使输出幅度明显下降，这一段为电压传输特性的转折区。 DE段：ui 1.4V。V5饱和导通，V4截止。uo=UOL≈0.3V，属于与非门的开门状态。 3.输入负载特性输入电压ui随输入端对地外接电阻RI变化的曲线,称为输入负载特 性。图2.2.3（b）是 TTL与非门的输入负载特性 4．输出负载特性输出负载特性是指输出电压uo随负载电流iL变化的特性曲线。图2.2.4为输出低电平时的输出等效电路及输出负载特性；图2.2.5为输出高电平时的输出等效电路及输出负载特性。 5．TTL与非门主要参数 （1）标称逻辑电平U （2）开门电平UON、关门电平UOFF （3）输出高电平UOH和输出低电平UOL （4）平均传输延迟时间tpd （5）噪声容限UNH和UNL （6）输入短路电流IIS （7）输入漏电流IIH （8）最大灌电流IOLmax和最大拉电流IOHmax （9）扇入系数NI和扇出系数NO 2.2.2 TTL集电极开路与非门 1．集电极开路与非门（OC与非门）的结构特点 OC与非门的电路特点是其输出管的集电极开路。使用时必须外接上拉电阻RL与电源相连。多个OC与非门输出端相连时，可以共用一个上拉电阻。 2．工作原理 如图2.2.10所示，OC与非门接上上拉电阻RL后，当输入中有低电平时，V2、V5均截止