崑山技术学院纤维系专题研究计划书-崑山科技大学ePortfolio.doc

崑山科技大學高分子材料系 專題研究 計畫書 題 目 新型光觸媒之開發與應用 新型光觸媒之開發與應用(一)：AgNbO3光觸媒合成、性質與酸橙7號(AO7)染料光降解反應 摘要 本實驗利用含浸燒結法由Nb2O5、AgNO3及K2CO3經850℃煅燒合成AgNbO3及AgxK1-xNbO3光觸媒，並利用XRD、SEM、UV-vis、FTIR、Raman及BET等分析其物理性質，並以AO7為模式反應物，討論AgNbO3及AgxK1-xNbO3光催化活性。K+可以取代晶格內的Ag+，形成AgxK1-xNbO3結構，並使XRD繞射峰移向較低的繞射角。AgNbO3的能隙值約為2.7-2.8eV，摻雜K+會使VB上緣往高電位方向移動、增加能隙值，Ag0.2K0.8NbO3的能隙值約為3.2eV。850℃煅燒的樣品顯示最高的光催化活性。AgNbO3在酸性溶液內的活性高於中性及鹼性，且隨pH值下降光催化活性增加。AO7在485、410、311、261以及228nm處的發色團均能被AgNbO3光分解。在pH=3.72的 AO7溶液內，AgNbO3的光催化活性因為K+的摻雜而下降，其原因可能是本反應系統中導電帶的電子能夠氧化氧分子產生氧陰離子自由基，及產生其他氧化劑導致AO7分解退色所致。 1. 前言 觸媒是一種化學物質，加入到反應系統，可藉由改變化學反應的路徑，降低反應的活化能，促進反應速率，而觸媒本身在反應前後並不會改變。光觸媒亦是觸媒的一種，只是必須在光線的輔助下才能產生觸媒的效果。光觸媒的發展可回溯至日本學者 Honda及Fujishima[1]利用二氧化鈦單晶及白金電極，在紫外線照射下分解水產生氫氣與氧氣，而導致此研究主題的蓬勃發展。 光觸媒具有半導體的結構，有導電帶(conduction band)、價電帶(valence band)能階以及能隙(energy band-gap)存在。當照射光線的能量大於能隙值時，會在導電帶產生電子，而在價電帶產生電洞。電子的還原能力由其所處的導電帶能階所決定，電位越負還原力愈強；電洞的氧化力由其價電帶能階所決定，電位越正氧化力愈強[2]。 在目前運用的光觸媒中，以二氧化鈦最常見，因為具有化學穩定性高、無毒及價格便宜等特點。常用的二氧化鈦具有銳鈦礦(anatase)與金紅石(rutile)兩種結構，前者能隙約為3.2eV，而後者約為3.0eV，所需要的激發能量約相當於390-410nm之間，此範圍約略在紫外線及可見光的交界處。一般認為銳鈦礦因為電子與電洞較不易再結合，電子較易傳導等因素，表現出較高的活性。由於太陽光線中，紫外線只佔3-5%，因此二氧化鈦的太陽光利用率並不高，因此有許多學者一直致力於可見光活性光觸媒的開發，如陰離子、陽離子或貴金屬摻雜等[3-10]。另一方面，亦有許多學者開發二氧化鈦以外的光觸媒。半導體AgNbO3中的導電帶Nb電子可以還原氧氣為氧陰離子自由基，而藉由Ag 4d與O 2p 軌域的混成，可以提高價電帶的上緣，降低能隙。AgNbO3的能隙約在2.7-2.8eV之間，有可見光的活性，目前有不少的文獻探討AgNbO3光觸媒的製備與應用[11,12]。而為了提高AgNbO3光觸媒的氧化活性，部分系統會在AgNbO3中摻雜Na藉以提高氧化力[13-17]。K的離子半徑為0.133nm與Ag的0.126nm相當接近，且均為正一價，因此是一不錯的摻雜元素。目前AgNbO3的應用中均偏向氣相反應，液相反應的研究少且效率低[15]，因此本文擬含浸法合成AgNbO3，並進行K的摻雜，製備AgxK1-xNbO3，並以酸橙7號染料(acid orange 7, AO7)為反應物，討論光催化活性。 2. 實驗步驟 2.1AgNbO3光觸媒合成 AgNO3及Nb2O5相對反應莫耳比為2:1。將AgNO3加入二段水，攪拌三十分鐘。再來將Nb2O５的粉末加入AgNO3的水溶液。攪拌２４小時。將液體放入100℃的烘箱烘乾。烘乾之後，將產物研磨、攪拌均勻。分別煅燒溫度不同（650 ℃、750 ℃、850 ℃、950 ℃），持續恆溫溫度各為6小時。煅燒後再次將粉末樣品研磨均勻，進行相關檢測分析與光催化AO7降解反應。 2.2 AgxK1-xNbO3光觸媒合成 AgNO３、Nb2O5及 K2CO3相對反應莫耳比為2:1:1。將AgNO3加入二段水，攪拌三十分鐘。再來將K2CO3和Nb2O5的粉末加入AgNO3的水溶液。攪拌２４小時。將液體放入100℃的烘箱烘乾。烘乾之後，將產物研磨、攪拌均勻。分別鍛燒溫度不同（650 ℃、750 ℃、850 ℃、950 ℃），持續這五種鍛燒的溫度，各為6小時。再次將之研磨均勻。 2.3光觸媒的特性分析 我們應用XRD(Rigaku, )分析