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共基电路的高频响应 *考察晶体管电容C b′e和C b′c以及负载电容CL对高频响应的影响; 1. C b′e的影响 : C b′e直接接于输入端,不存在密勒倍增效应。理论分析的结果fH1≈fT。 共集电路的高频响应 共集电路如图5―13(a)所示。与共射电路对比,共集电路的高频响应比共射电路要好得多,即 f H(CC)f H(CE)。 2. C b′e的影响 这是一个跨接在输入端与输出端的电容,利用密勒定理将其等效到输入端, 则密勒等效电容为 ---密勒定理 3. CL的影响 三极管的频率参数fβ和fT (5)全频段放大倍数波特图 例子2:试分析如下电路的频率特性RC=10-3 (分析步骤) 例子1:试分析如下电路的频率特性RC=10-3(分析步骤) 高频段 (4) 全频段总电压放大倍数 (5)全频段放大倍数波特图 小结 * *与共射电路对比,共基电路输入回路的时常数很小, 上限频率很高。 图5―14共基电路高频响应的讨论 (a)电路;(b)高频交流通路 2. C b′c及CL的影响 Cb′c直接接到输出端,也不存在密勒倍增效应。输出端总电容为Cb′c+CL。此时,输出回路时常数为RL’(Cb′c + CL),输出回路决定的fH2为 共基极放大电路的高频响应 ①高频等效电路 (b)高频小信号等效电路 ②高频响应 列 e 点的KCL 而 所以电流增益为 其中 电压增益为 其中 特征频率 忽略 共基极放大电路的高频响应 图5―13共集电路高频响应的讨论 (a)电路;(b)高频交流通路及密勒等效 1. Cb′c的影响 由于共集电路集电极直接连接到电源UCC,所以Cb′c相当于接在内基极“b′”和“地”之间,不存在共射电路中的密勒倍增效应。因为Cb′c本身很小(零点几~几pF),只要源电阻Rs及rbb′较小, Cb′c对高频响应的影响就很小。 A′u为共集电路的电压增益,是接近于1的正值,故CμC b′e。 I + Vi - + Vo - K K + Vi - + Vo - I I 1 2 高频等效模型的单向化 只要源电阻Rs较小,工作点电流ICQ较大,则Ro可以做到很小。 所以时常数RoCL很小,fH2很高。因此说共集电路有很强的承受容性负载的能力。 共集极放大电路的频率响应 Us rbb’ Rs rb’e Cb’e Cb’c Uo gmUb’e RL’ b’ f T :频率增大使| ? |下降到 0dB ( | ? |=1)时的 频率,称为特征频率。 0 0 几个上限频率的比较 ?的上限频率 特征频率 共基极上限频率 共发射极上限频率 共基极电路频带最宽,无密勒电容。 Exit 几个上限频率的比较 共基极电路频带最宽,无密勒电容 共基 共射 共集 上限 频率 3)在电路输入端采用低阻节点(即RS小)。 结论 , 共基电路频率特性最好、共发最差。 提 高 上 限 频 率 的 方 法 1)选rbb? 、 Cb?e、 Cb?c小、?T 高的三极管? 使fH ? 2)采用恒压源( RS ? 0)激励: 4) 在电路输出端也采用低阻节点(即 RL?小) 5) 改进集成工艺,通过提高管子特征频率fT 扩展 fH。 7) 在放大电路中引入负反馈扩展上限频率fH。 6)利用组合电路扩展上限频率fH。 上限截止频率电路中三极管的极间电容决定。 例选择正确答案填入空内。 (1)测试放大电路输出电压幅值与相位的变化,可以得到它的频率响应,条件是 。 A.输入电压幅值不变,改变频率 B.输入电压频率不变,改变幅值 C.输入电压的幅值与频率同时变化 (2)放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 ,而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 。 A.耦合电容和旁路电容的存在 B.半导体管极间电容和分布电容的存在。 C.半导体管的非线性特性 D.放大电路的静态工作点不合适 A B A 例选择正确答案填入空内。 (3)当信号频率等于放大电路的fL 或fH时,放大倍数的值约下降到中频时的 。 A.0.5倍 B.0.7倍 C.0.9倍 即增益下降 。 A.3dB B.4dB C.5dB (4)对于单
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