模拟电子技术_双极结型三极管及放大电路基础概要.pptVIP

B E C N N P ICBO ICEO= (1+ ?) ICBO IEP ? ICBO ICBO进入N区，形成IEP 根据放大关系，由于ICBO的存在，必有电流? ICBO 。 集电结反偏有ICBO 3. 集-射极反向截止电流ICEO ICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。 4.集电极最大电流ICM 集电极电流IC上升会导致三极管的?值的下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。 5.集-射极反向击穿电压 当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25?C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。 6. 集电极最大允许功耗PCM 集电极电流IC 流过三极管， 所发出的焦耳 热为： PC =ICUCE 必定导致结温 上升，所以PC 有限制。 PC?PCM IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 7. 特征频率fT 　　电流放大系数下降到1时的信号频率称为特征频率。 (1) 集电极最大允许电流ICM (2) 集电极最大允许功率损耗PCM PCM= ICVCE 极限参数 4.1.4 BJT的主要参数 练习4.1.3 1、优先满足 PC=PCM 2、其次满足 IC=ICM VCE=I（BR）CEO 正常工作时要同时满足：电流、电压、功率都不能超过 最大允许的数值 半导体二极管的型号 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 2AP9 用数字代表同类器件的不同规格。 代表器件的类型，P为普通管，Z为整流管，K为开关管。 代表器件的材料，A为N型Ge，B为P型Ge， C为N型Si， D为P型Si。 2代表二极管，3代表三极管。 2CW6.2， 2CZ11 ，2CP10 （3DG6，3DG12） 4.1.6 三极管的型号 国家标准对半导体三极管的命名如下: 3 D G 110 B 第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管 第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管 用字母表示材料 用字母表示器件的种类 用数字表示同种器件型号的序号 用字母表示同一型号中的不同规格 三极管 三极管的参数 参 数 型 号 P C M mW I C M mA VR CBO V VR CEO V VR EBO V I C BO μ A f T MHz 3AX31D 125 125 20 12 ≤ 6 *≥ 8 3BX31C 125 125 40 24 ≤ 6 *≥ 8 3CG101C 100 30 45 0.1 100 3DG123C 500 50 40 30 0.35 3DD101D 5A 5A 300 250 4 ≤ 2mA 3DK100B 100 30 25 15 ≤ 0.1 300 3DKG23 250W 30A 400 325 8 注：*为 f? 4.1.5 温度对BJT参数及特性的影响 (1) 温度对ICBO的影响 温度每升高10℃，ICBO约增加一倍。 (2) 温度对? 的影响 温度每升高1℃， ? 值约增大0.5%~1%。 (3) 温度对反向击穿电压V(BR)CBO、V(BR)CEO的影响 温度升高时，V(BR)CBO和V(BR)CEO都会有所提高。 2. 温度对BJT特性曲线的影响 1. 温度对BJT参数的影响 温度升高使IC增加 4.1.5 温度对晶体管特性及参数的影响 一、温度对ICBO的影响 实验证明，温度每升高10℃， ICBO增加约一倍；反之，当温度降低时ICBO减小。另外，硅管比锗管受温度的影响要小得多。 二、温度对输入特性的影响 实验证明，温度每升高1℃， uBE大约下降2～2.5mV。对特性曲线的影响如图1.3.8所示。 图 1 温度对晶体管输入特性的影响 三、温度对输出特性的影响 图2 温度对晶体管输出特性的影响 温度升高1℃，β增加0.5～1％。 补充： 光电三极管 图3 光电三极管的等效电路、符号和外形 图 光电三极管的输出特性曲线 练习4.1.1 VA＝-9V VB＝-6V VC＝-6.2V 考虑发射结两端电压，锗管； A是集电极