硅片制绒工艺概要.pptVIP

硅片制绒工艺 zhejiang university 制备绒面的目的 减少光的反射率，提高短路电流，以致提高光电转换效率 陷光原理 当光入射到一定角度的斜面，光会反射到另一角度的斜面，形成二次或者多次吸收，从而增加吸收率 绒面光学原理 单晶制绒 单晶制绒流程：预清洗+制绒 预清洗目的： 通过预清洗去除硅片表面脏污，以及部分损伤层。 机械损伤层（5-7微米） 硅片 单晶制绒 预清洗方法： 1、10%NaOH，78oC，50sec； 2、① 1000gNaOH，65-70oC(超声)，3min；②1000g Na2SiO3+4L IPA，65oC，2min。 2NaOH+Si+H2O=Na2SiO3+2H2 SiO32-+3H2O=H4SiO4+2OH- 单晶制绒 预清洗原理： 1、10%NaOH，78oC，50sec； 利用浓碱液在高温下对硅片进行快速腐蚀。损伤层存在时，采用上述工艺，硅片腐蚀速率可达5μm/min；损伤去除完全后，硅片腐蚀速率约为1.2μm/min。经腐蚀，硅片表面脏污及表面颗粒脱离硅片表面进入溶液，从而完成硅片的表面清洗。 经50sec腐蚀处理，硅片单面减薄量约3μm。采用上述配比，不考虑损伤层影响，硅片不同晶面的腐蚀速率比为: (110): (100): (111)=25：15：1，硅片不会因各向异性产生预出绒，从而获得理想的预清洗结果。 缺点：油污片处理困难，清洗后表面残留物去除困难。 单晶制绒 预清洗原理： 2、① 1000gNaOH，65-70oC(超声)，3min；②1000g Na2SiO3+4L IPA，65oC，2min。 ① 利用NaOH腐蚀配合超声对硅片表面颗粒进行去除； ② 通过SiO32-水解生成的H4SiO4(原硅酸)，以及IPA对硅片表面有机物进行去除。 单晶制绒 单晶绒面： 绒面一般要求：制绒后，硅片表面无明显色差；绒面小而均匀。 单晶绒面显微结构（左：金相显微镜；右：扫描电镜） 单晶制绒 制绒原理： 简言之，即利用硅在低浓度碱液中的各向异性腐蚀，即硅在(110)及(100)晶面的腐蚀速率远大于(111)晶面的腐蚀速率。经一定时间腐蚀后，在(100)单晶硅片表面留下四个由(111)面组成的金字塔，即上图所示金字塔。 根据文献报道，在较低浓度下，硅片腐蚀速率差异最大可达V (110)： V(100) ： V(111) =400：200：1。 尽管NaOH(KOH)，Na2SiO3，IPA(或乙醇)混合体系制绒在工业中的应用已有近二十年，但制绒过程中各向异性腐蚀以及绒面形成机理解释仍存争议，本文将列出部分机理解释。 单晶制绒 各向异性腐蚀机理： 1967年，Finne和Klein第一次提出了由OH-，H2O与硅反应的各向异性反应过程的氧化还原方程式： Si+2OH-+4H2O→Si(OH)62-+2H2； 1973年，Price提出硅的不同晶面的悬挂键密度可能在各项异性腐蚀中起主要作用； 1975年，Kendall提出湿法腐蚀过程中，（111）较（100）面易生长钝化层； 1985年，Palik提出硅的各向异性腐蚀与各晶面的激活能和背键结构两种因素相关，并提出SiO2（OH）22-是基本的反应产物； 单晶制绒 各向异性腐蚀机理： 1990年，Seidel提出了目前最具说服力的电化学模型，模型认为各向异性腐蚀是由硅表面的悬挂键密度和背键结构，能级不同而引起的； 1991年，Glembocki和Palik考虑水和作用提出了水和模型，即各向异性腐蚀由腐蚀剂中自由水和OH-同时参与反应； 最近，Elwenspolk等人试着用晶体生长理论来解释单晶硅的各向异性腐蚀，即不同晶向上的结位(kinksites)数目不同； 另一种晶体学理论则认为(111)面属于光滑表面，(100)面属于粗糙表面。 单晶制绒 各向异性腐蚀机理： Seidel电化学模型： 单晶制绒 绒面形成机理： A、金字塔从硅片缺陷处产生； B、