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第三章 双极结型晶体管 3.1.5 双极晶体管的直流电流电压方程 第三章 双极结型晶体管 发射结短路时的电流 VBC ≠0, VBE=0—倒向的晶体管 第三章 双极结型晶体管 对于共射电路: 第三章 双极结型晶体管 4. 基区宽变效应 第三章 双极结型晶体管 3.1.6 双极晶体管的反向特性 第三章 双极结型晶体管 3) ICEO: 基极开路、集电结反偏时，集-射极间的反向电流。 第三章 双极结型晶体管 2) BVCEO: 基极开路时,集-射极间的击穿电压. (共射雪崩击穿电压) 第三章 双极结型晶体管 发射极与基极间有外接电路时 *Institute of Microelectronics Circuit System 半导体器件原理 2009.03.30 -- I.晶体管的直流特性 1. 集电结短路时的电流 VBC=0, VBE≠0 * IES相当于单独一个发射结构成的PN结二极管的反向饱和电流 --1.晶体管的直流特性 * ICS相当于单独一个集电结构成的PN结二极管的反向饱和电流 晶体管的直流电流电压方程 对于共基电路: -- I.晶体管的直流特性 输出特性 共基电路-- 共射电路-- -- I.晶体管的直流特性 厄尔利电压： --- 由于外加电压的变化引起有效基区宽度变化的现象,也称厄尔利(Early)效应. -- I.晶体管的直流特性 晶体管的反向电流 不受输入端电流控制,对放在无贡献,有功耗。 2) IEBO: 集电极开路、发射电结反偏时，基-射极间的反向电流。 1) ICBO: 发射极开路、集电结反偏时，集-基极间的反向电流。 浮空电势-- -- I.晶体管的直流特性 击穿电压 BVCBO: 发射极开路时,集-基极间的击穿电压，又称共基极(雪崩)击穿电压。 BVEBO: 集电极开路时,射-基极间的击穿电压,又称发射结击穿电压。 共基电路中: 发生雪崩倍增效应时 击穿条件： -- I.晶体管的直流特性 雪崩倍增效应对共射接法比对共基接法的影响大得多. 负阻特性--原因:小电流 的下降 发生雪崩倍增效应时 击穿条件： -- I.晶体管的直流特性 BVCEX: 基-射极间接电阻Rb时和反偏电压VBB时，C-E极间的击穿电压。 BVCER: 基-射极间接电阻Rb时，C-E极间的击穿电压； BVCES: 基极发射极短路时， C-E极间的击穿电压。 *Institute of Microelectronics Circuit System 半导体器件原理 2009.03.30 * * * *
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