第18章半导体器件物理剖析.pptVIP

第18章 半导体器件物理基础 18.1 p-n结 18.2 半导体表面 18.3 金-半接触 18.2 半导体表面 1.半导体的表面态 纯净表面——理想表面 实际表面 氧化层填补了一定的悬挂键，但是由于其与晶格的不完全匹配，悬挂键不可能完全被填充，故仍存在一定的表面态密度 表面态 施主表面态 受主表面态 表面能级被电子占据是呈中性，施放电子时呈正电性 表面能级空着时呈中性，接受电子时呈负电性 实验证明，表面施主能级更靠近价带 实验证明，表面受主能级更靠近导带 18.2 半导体表面 2.表面的电场效应——表面的三种基本状态 表面施主态 表面带正电 近表面的半导体层就感应出负电荷 有表面指向半导体的电场 产生的表面电势差Vs0，即表面势必内部高； 对电子（导带）而言附加电势能为-qVs；对空穴（价带）而言附加电势能为qVs； 无论导带还是价带，附加电势能都将使得能带向下弯曲； EC EV EF 电子 空穴 E qVS n型半导体+表面施主态 电子（多子）积累 18.2 半导体表面 2.表面的电场效应——表面的三种基本状态 EC EV EF qVS p型半导体+表面施主态 空穴（多子）耗尽 p型半导体+强的表面施主态 空穴（多子）耗尽+反型 EC EV EF Ei 反型层 耗尽层 18.2 半导体表面 2.表面的电场效应——表面的三种基本状态 表面受主态 表面带负电 近表面的半导体层就感应出正电荷（电子被排斥） 有半导体指向表面的电场 产生的表面电势差Vs0，即表面势必内部低； 对电子（导带）而言附加电势能为-qVs；对空穴（价带）而言附加电势能为qVs； 无论导带还是价带，附加电势能都将使得能带向上弯曲； EC EV EF 电子 空穴 E qVS n型半导体+表面受主态 电子（多子）耗尽 18.2 半导体表面 2.表面的电场效应——表面的三种基本状态 EC EV EF qVS p型半导体+表面受主态 空穴（多子）积累 n型半导体+强的表面受主态 电子（多子）耗尽+反型 EC EV EF Ei 反型层 耗尽层 18.2 半导体表面 2.理想MOS结构 理想MOS结构的特点： a.金属（M）和半导体（S）功函数（费米能级）相同 b.氧化层（0）无任何电流且不导电 c.氧化层和半导体不存在任何界面态 平衡时无载流子流动 理想电容 M和S相互作用 E E E 表面施主态 表面受主态 表面受主态+反型 18.3 金属-半导体接触 金（M）半（S）的功函数（费米能级）不同→载流子相互流动，致使能带弯曲→费米能级统一→平衡 整流接触 欧姆接触 肖特基势垒二极管SBD 超高频和大功率电阻器件 阻挡层：形成能带弯曲阻止多子向从半导体向金属移动 反阻挡层：形成的能带弯曲不阻挡多子向金属移动 EF 18.3 金属-半导体接触 功函数与费米能级 1.金半接触的势垒模型——功函数 E0:真空能级 (EF)M：金属的费米能级 EC EV (EF)S：半导体的费米能级 Wm：金属功函数 金属中的电子逸出金属表面所需克服的能量 WS：半导体功函数 χ：电子亲和能 En 18.3 金属-半导体接触 电子总是从费米能级高（功函数小）的地方流向费米能级低（功函数大）的地方，直至费米能级统一（功函数相等）为止； 1.金半接触的势垒模型——肖特基势垒模型 金属与n型半导体接触，接触前wmwS→(EF)m(EF)S E0 (EF)m EC EV Wm WS χ En (EF)S 肖特基势垒模型：理想的金半接触模型，不存在表面态 电子从半导体表面流向金属表面 表面附近：导带电子减少，价带空穴增多，故能带向下弯曲 金属表面接收电子形成负电区；半导体表面流失电子形成正电区 自建场形成，方向从金属指向半导体 自建场阻碍扩散的继续进行，当二者平衡，流动结束，费米能级统一！ 电子科技大学光电信息学院陈德军 * 18.1 p-n结 在该部分内容中，我们将解决如下的问题…… 1、p-n结的形成和杂质分布 2、平衡p-n结 3、非平衡p-n结 4、电容和击穿 18.1 p-n结——形成和杂质分布 p-n是一种由n型半导体和p型半导体构成的特殊的非均匀半导体 1.合金法 2.扩散法 3.离子注入法 4.外延法 突变结 线性缓变结 合金结和高表面浓度的浅扩散结等…… 低表面浓度的深扩散结等…… 18.1 p-n结——形成和杂质分布 突变结 18.1 p-n结——形成和杂质分布 线性缓变结 18.1 p-n结——平衡p-n结 空间电荷区和自建场 空间电荷区形成的根本原因——p-n结为非均匀半导体，将引入载流子的扩散运动 P区 n区 负电中心 空穴 正电中心 电子 载流子浓度不均匀将引入扩散运动 p区空穴向n区扩散n区电子相p区扩散 空间电荷区形成 空间电荷区带来正负电荷的分配不均 自建场形成 空