光电第七章固体成像器件绪论.ppt

2、CMOS：画质差、像素增更容易CMOS传感器的每个象素由四个晶体管与一个感光二极管构成(含放大器与A/D转换电路)，使得每个象素的感光区域远小于象素本身的表面积，因此在象素尺寸相同的情况下，CMOS传感器的灵敏度（即开口率）要低于CCD传感器，因为CCD但单独像素上没有单独放大器，尤其在小型传感器上，这种差异更加明显。同样由于CMOS传感器的每个感光二极管都需搭配一个放大器，而放大器属于模拟电路，很难让每个放大器所得到的结果保持一致，因此与只有一个放大器放在芯片边缘的CCD传感器相比，其画质自然会有所降低。在像素增加方面，CMOS有着先天性优势，这应该也不难理解，因为上文已经介绍了CCD的工作原理，其中任何一个像素通道坏掉都会影像传感器正常工作，例如我们将CCD的1000W像素提升到1500W像素，那么就要意味着要再保证多出的500W个像素的通道必须全部能够无一例外的全部正常工作，良品率更为堪忧，而CMOS则没有这种烦恼，因为他非常类似于模块化设计，只要随着制造工艺的增长增加模块就行了，即使在这1500W像素值中有1-2个坏点，仍然可以照常工作！ 7.5 自扫描光电二极管阵列 7.5.1 光电二极管阵列的结构形式和工作原理 1.光电二极管阵列的结构形式 图 1)连续工作方式 2) 电荷存储工作方式 1)连续工作方式 2.光电二极管阵列的工作原理 这种工作方式是一种连续的工作方式，输出电流很小，N位图像传感器至少要有N+1根信号引出线，所以布线有困难，一般只用于64位以下的光电二极管阵列中 2) SSPD ，电荷存储工作方式 (1)准备过程 每个单元 (3) 再充电过程 (2)曝光过程 电容上的电压下降为： 因光照，电容放电为： RL是输出的峰值电压为： 负载上的最大输出光电流为： 与连续工作方式下的输出电流相比，增益为： * 第七章 固体成像器件 CCD： （Charge Coupled Device）电荷耦合器件 固体成像器件：不需要封装在真空玻璃壳内，不需要用靶来完成光电图像的转换，不需要有电子束扫描来完成图像信号的输出。固体成像器件本身就能完成光学图像转换、信息存储和按顺序输出（自扫描）视频电视信信号。 固体成像器件 SSPD：（Self Scanned Photodiod Array)自扫描光电二极管列阵 优点： 体积小、重量轻、功耗低；耐冲击，可靠性高，寿命长 无像元烧伤、扭曲，不受电磁场干扰 SSPD的光谱响应范围从0.25~1.1μm，对红外线也敏感 7.1 电荷耦合器件 7.1.1电荷耦合器件的结构 像元尺寸精度优于1μm，分辨率高 可进行非接触位移测量 基本上不保留残像（真空摄像管有15%~20%的残像 视频信号与微机接口容易 P型或N型硅衬底 生长一层120~150nm的SiO2 多个金属电极 M O S 7.1.2 电荷耦合原理与电极结构 1.电荷耦合原理 1) MOS的平衡态 P-Si SiO2 电极 b）耗尽状态 c）反型状态 a）平面状态 U3 P-Si U2 P-Si U1 P-Si 2) MOS电容的非平衡态特性 非稳定状态的深度耗尽 -Use 价带 导带 -Use 价带 导带 稳定状态的反型层 UG Us Us √ UG 10V 10V 2V t2 2）电荷的耦合 10V 2V 2V t1 4V 10V 2V t3 2V 10V 2V t4 2V 4V 10V t5 2V 2V 10V t6 t1 t2 t3 t4 Ф1 Ф2 Ф3 t t t t5 U U U 三相时钟 t6 2. CCD电极结构 Ф2 SiO2 P-Si衬底 Ф1 t t0 t1 t2 t3 Ф1 Ф2 t Ф2 Ф1 t0 t1 t2 t3 2)二相CCD的电极结构 3)除此之外还有四相时控制 1)三相CCD的电极结构 如前所述 7.1.3 电荷耦合器件的组成及其工作原理 信号电荷的输入（光电转换） 电荷转移 信号输出 CCD的组成： 1.输入部分 1）电注入 2）光注入 光电转换器件+CCD（电荷的转移） MOS电容 光敏二极管 光 光敏二极管光电转换 光电导体 肖特基势垒光电二极管 转移栅 N+ P a Ф1 Ф2 Ф3 OG + P 输出栅 IG 光栅 N 光敏元 MOS电容光电转换 N+ P a Ф1 Ф2 Ф3 OG + P 输出栅 转移栅 IG 光栅 光敏元 光 N+ P a Ф1 Ф2 Ф3 OG + P IG 光敏元 2.信号的转移部分 如前所述 3. 信号的输出部分 （1）二极管输出机构 （2）选通积分型输出机构 N P ФR UC VF1 VF2 C R1 RL G2 s + Ф1 Ф2 Ф3 N+ P a OG 输出栅 7.1.4 *电荷转移沟道类型 SCCD：表面沟道电荷耦合