地弹噪声整改案例-去耦电容和地线的重要性剖析.docx

NRC-819开入异常测试 一、 测试说明 针对WDR-821B/G3开入异常现象，本次试验针对以下7项内容进行了测试： 1） 测量正常与疑似异常HCT245在开入变位时输入端低电平幅值。 2） 通过可调电位器，测量HCT245芯片开入变位门槛值。 3） 通过可调电位器，测量HC245芯片开入变位门槛值。 4） 针对疑似异常HCT245芯片，调节跳位开入前端回路参数，测试对异常现象的影响。 5） 使用HC245芯片，调节跳位开入前端回路参数，测试对开入变位的影响。 6） 疑似异常HCT245芯片电源加电容测试。 7） 开入动作电压值测量 二、相关电路原理图和PCB 三、测试项目 1. 测量正常与疑似异常HCT245在开入变位时输入端低电平幅值 1.1 正常HCT245芯片在光耦变位时，用电压表测量YXKR1 ~YXKR11的电压为0.67V左右。 1.2 正常HCT245芯片KR1(TWKR)的电压为0.654V（返回时高电平4.24V左右）。 1.3 疑似异常HCT245芯片KR1(TWKR)的电压为0.656V（返回时高电平4.24V左右），去掉跳位面板指示灯后，KR1(TWKR)的电压为0.543V。 2. HCT245芯片开入变位门槛值 2.1 正常HCT245芯片，测量遥信开入在1.2V左右，HCT245输出变位。 通道1：光耦后YXKR3 通道3：数据线D2 通道3：片选CS2 2.2 疑似异常芯片遥信开入变位门槛值 将YXKR9的上拉电阻两端并联一个电位器，调节电位器，测量YXKR9在1.2V左右，HCT245输出变位。变位过程中波形如下三个波形： 通道1：D0(YXKR9经HCT245输出端)，通道2：片选，通道3：YXKR9 通道1：D0(YXKR9经HCT245输出端)，通道2：片选，通道3：YXKR9 通道1：D0(YXKR9经HCT245输出端)，通道2：片选，通道3：YXKR9 2.3 疑似异常芯片KR1(TWKR)开入变位门槛值 断开KR1(TWKR)前端回路，将YXKR9回路接入到KR1(TWKR)上，将YXKR9的上拉电阻两端并联一个电位器，调节电位器，测量YXKR9在1.09V左右，HCT245输出变位。变位过程中波形如下三个波形： 通道1：D3(KR1经HCT245输出端)，通道2：片选，通道3：KR1 通道1：D3(KR1经HCT245输出端)，通道2：片选，通道3：KR1 通道1：D3(KR1经HCT245输出端)，通道2：片选，通道3：KR1 3. HC245芯片开入变位门槛值 将YXKR9的上拉电阻两端并联一个电位器，调节电位器，测量YXKR9在2.5V左右，HC245输出表现为不定态，但无抖动现象，测得如下两个波形： 通道1：D0(YXKR9经HC245输出端)，通道2：片选，通道3：YXKR9 通道1：D0(YXKR9经HC245输出端)，通道2：片选，通道3：YXKR9 4. 针对疑似异常HCT245芯片，调节跳位开入前端回路参数，测试对异常现象的影响 4.1 不去指示灯情况下，测得如下波形。 通道1：D3(KR1经HCT245输出端)，通道2：片选，通道3：KR1 4.2 去掉指示灯情况下，测得如下波形。 通道1：D3(KR1经HCT245输出端)，通道2：片选，通道3：KR1 4.3 断开YXKR9前端回路，再与KR1(TWKR)并联，测得如下波形。 通道1：D0(YXKR9经HCT245输出端)，通道2：片选，通道3：YXKR9 4.4 在电子车间测试时，断开YXKR9前端回路将KR1(TWKR)前端负载接到YXKR9开入位，波形如下： 通道1：D0(YXKR9经HCT245输出端)，通道2：片选 4.5 将信号插件NXH-850上的TVS1去掉，测得如下波形。 通道1：D3(KR1经HCT245输出端)，通道2：片选，通道3：KR1 4.6 将NRJ-883上跳位指示灯的限流电阻改为1kΩ、680Ω、470Ω，分别测得如下三个波形。 a）限流电阻为1kΩ时 通道1：D3(KR1经HCT245输出端)，通道2：片选，通道3：KR1 b)限流电阻为680Ω时 通道1：D3(KR1经HCT245输出端)，通道2：片选，通道3：KR1 c)限流电阻为470Ω时波形 通道1：D3(KR1经HCT245输出端)，通道2：片选，通道3：KR1 5. 使用HC245芯片，调节跳位开入前端回路参数，测试对开入变位的影响。 5.1 使用HC245，将YXKR9的上拉电阻两端并联一个电位器，调节电位器，测量YXKR9在2.5V左右，HC245输出表现为不定态，但无抖动现象，测得如下两个波形： 通道1：D0(YXKR9经HC245输出端)，通道2：片选，通道3：YXKR9 通道1：D0(