E-东北大学电気情报系.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 半導体レーザの発振特性 光出射特性 (a) FFP (b) NFP レーザビーム 基板平行方向光強度分布 基板垂直方向光強度分布 x x y y z 基板垂直方向 基板平行方向 +θ -θ 0 +θ -θ 0 光変調特性 半導体レーザの駆動電流に変調信号を重畳し、直接光出力を変調する方式を直接変調と呼ぶ。 半導体レーザの電流-光出力(I-L)特性 光信号 変調信号(電気) 電流 光出力 Ib Ith 0 Ib=1.04 Ith 1.10 Ith 1.23 Ith 1.37 Ith 1.64 Ith 2 4 6 8 10 変調周波数: f (GHz) 規格化変調光強度 (3dB/div) 小信号変調応答周波数特性 光変調特性 大信号変調特性 t I Ith Ib 注入電流 t n nth nb 活性層内キャリヤ密度 t S 0 Sop 光子密度 Ib + Ip (a) (b) (c) キャリヤ寿命時間 τs での減衰 振動周期はほぼ 1/fr 通信用途以外での半導体レーザ 世界初、発振波長530nm帯で100mW以上の光出力を有する純緑色半導体レーザーを開発 ～ 従来の窒化ガリウム系緑色レーザーに比べて、約2倍の高輝度を実現 ～ 住友電気工業株式会社ソニー株式会社 2012年６月21日プレスリリース http://www.sony.co.jp/SonyInfo/News/Press/201206/12-0621/ 光増幅器 半導体光増幅器(Semiconductor optical amplifier: SOA) 半導体レーザーの両端面に無反射膜を形成するなどして、光共振器をなくしたもの (光の正帰還がかからなくなるのでレーザー発振はしない) 半導体レーザーチップ 無反射加工 無反射加工 特徴 ? 小型で高効率 ? 電流注入により光増幅 ? 光増幅利得 ~ 20dB ? 増幅波長帯域 30 ~ 40nm ? 自然放出光雑音大 ? 偏光依存性有り 通信用SOAモジュール 光増幅器 光ファイバー増幅器(Optical fiber amplifier) Er添加光ファイバー増幅器 コアに、エルビウム（Er3+）などの希土類を添加 Er3+の準位 光ファイバー増幅器の構成 波長980 nmや1480 nmなどの光で励起すると波長1.54 μm付近に光増幅利得発生 特徴 ? 光増幅利得 ~ 30dB ? 増幅波長帯域 ~ 30nm ? 自然放出光雑音小 ? 偏光依存性無 ? 光励起 ? 低効率 市販の光ファイバー増幅器 光増幅器 ラマン増幅器(Raman Amplifier) 光ファイバーに非常に強い励起光を入射すると、石英ガラスの分子振動エネルギーに対応して、誘導ラマン散乱(Stimulated Raman Scattering: SRS)が生じ、励起光波長より100 nm程度長い波長域に光学利得が得られる。 光ファイバーラマン増幅器の構成 基底状態 励起状態 SRSによる光増幅原理 中間状態 (仮想準位) 物質固有の振動エネルギー 励起光 信号光 増幅 反転分布 特徴 ? 励起光波長を選べば、任意の波長で増幅が可能 ? 偏光依存性無 ? 光励起、低効率 波長可変レーザ 半導体光増幅器 回折格子 コリメート レンズ 波長多重伝送やフォトニックネットワークでは、発振波長を自由に変えられる波長可変レーザが望まれる。波長可変レーザは、光増幅器と波長選択素子とで構成できる。 回折格子による機械式波長可変レーザの構成 リング共振器による熱光学式波長可変レーザ 光変調器 光通信において、半導体レーザーなどは直接変調が可能であるが、直接変調を行えない光源(ガスレーザーや固体レーザーなど)には、外部で光変調を行う光変調器がある。 光変調には、 光の強度を変調する光強度変調器 1 0 0 1 1 0 0 光の位相を変調する光位相変調器 アナログ変調 デジタル (バイナリ)変調 アナログ変調 デジタル (バイナリ)変調 光変調器 電界吸収(EA)型光強度変調器 40GbpsEA変調器(沖電気) 化合物半導体などのpn接合に逆バイアスを印加すると、印加電界によって光吸収特性が変化(フランツ?ケルディッシュ効果、量子閉じ込めシュタルク効果)し、これを利用して光の強度変調を行うもの。 Franz–Keldysh effectの説明