第5章微电子基本IC单元版图设计探究.pptVIP

第5章 基本IC单元版图设计 基本IC单元版图 电阻 电容 电感 二极管 CMOS版图 双极晶体管 工艺流程 台湾半导体制造公司（TSMC台积电）的0.35?m CMOS工艺。TSMC的0.35?m CMOS工艺是MOSIS 1997年以来提供的深亚微米工艺。 TSMC的0.35?m沟道尺寸和对应的电源电压、电路布局图中金属布线层及其性能参数如表5.1所示。 表5.2列出了MOSIS对应于TSMC的0.35?m CMOS工艺定义的全部工艺层。 基本IC单元版图设计 – 电容 基本IC单元版图设计 – 电容 寄生电容 ——不幸 PN结是介质势垒 基本IC单元版图设计 – 电感 - 电容上电压频率增加时，其传导电流的能力加强，电感的特性与之不同。电感上电压频率增加时，变化的磁场会感应出电压与电流，并与原来的电压电流方向相反，这样原来的电压电流就会被抵消掉一部分。频率越高，此效应越严重，流过电感的电流就越小。 “电容对高频来说是通路，电感阻碍高频信号通过。” - 电感主要用于高频电路中，或作为匹配电路，或作为射频扼流圈。也可用电感制作片上变压器。 导线特征化 导线的寄生电容、寄生电感与寄生电阻会对高频信号产生