固体中的点缺陷.pptVIP

理想的完善晶体：由等同的原子或原子集团，按照一定的点阵结构，在三维方向构成一个规整的、周期性的原子序列，这样所形成的晶体是一种理想的完善的晶体。 缺陷的分类 固体中的缺陷包括从原子、电子水平的微观缺陷到显微缺陷。从缺陷的尺寸来看，可以分为以下几类： 杂质缺陷 对于取代离子型晶体： 正负离子电负性差别较大，杂质离子应进入与其电负性相近的离子的位置上。 当化合物组成元素电负性相差不大，或杂质元素的电负性介于它们的电负性之间时，则原子的大小等几何因素决定取代过程能否进行的主要因素。 例：各种金属间化合物或者共价化合物中，原子半径相近的(15%)元素可以相互取代。Si在InSb中占据Sb位；在GaAs中，Si即可占据Ga位，又可占据As位；Ge在InSb中占据In位，在GaSb中则占据Sb位；Sn在GaSb中占据Ga位，在InSb中占据In位。 杂质缺陷 对于生成间隙 杂质原子/离子能否进入晶体的间隙位置，主要决定于体积效应。只有那些半径较小的原子或离子才有可能成为间隙杂质缺陷。如：H、C原子，Li+、Cu+离子等。 杂质缺陷 外来的杂质原子，可以以原子的形式存在也可以离子化的形式存在，即以失去电子或束缚着电子的状态存在。 当杂质离子的价态和它所取代的基质晶体中 的离子的价态不同时，会给晶体带入额外的电荷， 这些额外的电荷必须同时由具有相反电荷的其它 缺陷来加以补偿，使整个晶体保持电中性，掺杂 才能继续进行。 杂质缺陷 例一：BaTiO3中掺入La3+，形成 ，则同时必须有等量的Ti4+被还原成Ti3+，形成 生成物的组成可以写为： 杂质缺陷 例二：利用掺在过程必须遵循电中性原则，制备具有指定载流子浓度的材料。 NiO：淡绿色绝缘体，掺入少量Li2O后，为黑色p型半导体，控制掺入量10%(原子比)，则材料电导率为1(??cm)-1，增大约1010倍。 反应如下： 杂质缺陷 为保持电中性，每引入一个Li+，则相应的有一个Ni2+被氧化为Ni3+，最后形成的化合物可以表示为： 存在的缺陷为： 和 缺陷相当于Ni2+离子上束缚着一个正空穴(Ni2++h·)，在电场作用下，可以产生空穴电导。正空穴h·沿着Ni2+- Ni3+- Ni2+- Ni3+-…之间传递。 如果直接在弱氧化性气氛中加热NiO，也可以将部分Ni2+被氧化为Ni3+ 电子和空穴 价带(Valence band)：价带中的电子是定域的，不能在晶体中自由移动。 导带(Conduction band)：导带中的电子可在晶体中自由运动。 禁带(Forbidden band)、能隙(Energy gap)、能带隙(Band gap)：位于导带和价带之间，不存在电子轨道的能量区域。 施主缺陷 As掺入Ge中，形成 As有5个价电子，电子填满晶体价带之后，还多出一个，相当于 ，但As原子对这个额外电子的束缚相对于Ge原子要弱，因此该电子的能量高于一般价带中的电子，而位于导带底部的禁带中。 1 施主缺陷:能给出电子的缺陷 施主缺陷 导带 价带 ED ED是使 激发一个电子所需能量 是一个能给出电子的缺陷，叫 做施主缺陷，它所在的能级叫做施 主能级， ED叫施主电离能。 这种以电子导电为主的半导体叫做 n型半导体。 受主缺陷 2 受主缺陷 B掺入Ge中，形成 B有只3个价电子，相当于晶体中价带未完全充满，或者说缺陷处的价带中存在一个空穴，相当于 ，该空穴被松弛的束缚着，因此缺陷能级位于价带顶部的禁带中。 受主缺陷 导带 价带 EA EA是使 放出一个空穴所需能量 是一个能接受电子的缺陷，叫 做受主缺陷，它所在的能级叫做受 主能级， EA叫受主电离能。 这种以空穴导电为主的半导体叫做 p型半导体。 * 第五章 固体中的点缺陷 5-1 缺陷的分类 5-2 缺陷的表示符号 5-3 本征缺陷 5-4 杂质缺陷 5-5 电子和空穴 5-6 点缺陷的局域能级 5-7 缺陷的缔合 理想的晶体除了可以作为理论模型之外， 在技术上没什么用处 偏离理想的不完善的晶体，一些结构和组成中 存在有某些缺陷的晶体，具有重要的理论意义 和实际价值。 固相中的化学反应只有通过缺陷的运动（扩散） 才能发生和进行，晶体中的缺陷决定着固体物质 的化学活性，而且各种缺陷还规定了晶体的光学、 电学、磁学、声学、力学和热学等方面的性质， 可以使晶体构成重要的技术材料。 不管是工业技术部门还是基础理论研究领域， 都涉及到固体缺陷的理论研究和应用研究的问题。 缺陷的化学是固体化学的核心问题。 固体中缺陷的含量一般约为基质材料的万分之几 或更少一些，仅采用X射线衍射或化学