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晶片研磨速率及损伤层的研究.pdf
第35卷，增刊 红外与激光工程 2006年10月
and
V01．35 Infrared 0ct．20()6
Supplement EaselEngineering
晶片研磨速率及损伤层的研究
王志芳
(华北光电技术研究所，北京100015)
摘要：现代光电器件不仅要求有较高的平面度、样品平行度以及厚度，还要求有低损伤、高质量的加工
表面．为了达到这个目的，对不同条件下的研磨速率及所产生的损伤层进行研究，并制定合理的研磨工序是
必需的。叙述了研磨的本质及损伤层的产生，研究了晶片减薄过程中去除速率和表面粗糙度与研磨转速和研
磨压力的关系，比较了不同磨料颗粒度对去除速率和表面粗糙度的影响，为制定合理的研磨工序提供了依据。
关键词：光电器件； 损伤层； 研磨；本质
中图分类号：TN213 文献标示码：A 文章编号：1007．2276(2006)增E．0188．04
hcraeRqsesearchRsnoon0nitacolsantlandiddislocationsor“WaferIer
gringdinggringaing
WANG
Zhi-fang
ChinaResearchInstitute
(North ofElectro-optics，Beijing100015。China)
Abstract：Modemelectronicdevicesnot controloverwafer in
onlyrequireincreasinglystringent geometry
and also a
termsofsurface thickness，butdemand lowdislocationand
flatness，specimenparallelism very high
surfacefinishOllthe ordertoachievethis removalrateofunderdifferentconditionsand
quality sample．In aim，the
thelevelof to andformulateareasonable isessential．Inthe relation
injurystudy grindingprocesses paper，the
betweenrateand and andthe hasbeendescribed．Itisaevidenceof
roughnessplatespeed pressure comparing
torateanddislocation．
granularity
words：Deviceof
Key pho
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