材料制备课件第二章晶体缺陷.ppt

位错的应力场 位错的分解和合成 一、晶界 2)大角度晶界 晶界两侧的晶粒位向差较大,不能用位错模型。关于大角度晶界的结构说法不一,晶界可视为2—3(5)个原子的过渡层,这部分的原子排列尽管有其规律,但排列复杂,暂以相对无序来理解。 一、晶界 3.晶界能:晶界面上的原子相对正常晶体内部的原子而言,均处于较高的能量状态,因此,晶界也存在界面能。 小角度晶界的晶界能随位向差的增大而提高。 大角度晶界的晶界能可以近似看成材料常数,与材料的弹性模量有很好的对应关系。 二、表面及表面能 1.晶体的表面:就是晶体的外表面,一般是指晶体与气体(气相或液相)的分界面。 2.晶体的表面能:同体积晶体的表面高出晶体内部的能量称为晶体的表面自由能或表面能。计量单位为J/m2。表面能就是表面张力,单位为N/m。晶体的表面能在有些意义和大家已知液体表面张力是一样的。 二、表面及表面能 3.表面能的来源:材料表面的原子和内部原子所处的环境不同,内部在均匀的力场中,能量较低,而表面的原子有一个方向没有原子结合,处在与内部相比较高的能量水平。另一种设想为一完整的晶体,按某晶面为界切开成两半,形成两个表面,切开时为破坏原有的结合键单位面积所吸收的能量。由于不同的晶面原子的排列方式不同,切开破坏的化学键的量也不同,所以用不同的晶面作表面对应的表面能也不相同,一般以原子的排列面密度愈

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