第14章节二极管和三极管.ppt

2? PNP型 P P N C B E C E B 集电极 基极 发射结 集电结 发射区 集电区 基区 发射极 PNP型晶体管的结构示意图 PNP型 晶体管的图形符号 按半导体材料的不同分 为锗管和硅管，硅晶体 管多为NPN型，锗晶体 管多为PNP型。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 结构特点： ? 发射区的掺杂浓度最高； ? 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； ? 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。 管芯结构剖面图 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. N型硅 二氧化硅保护膜 B E C N+ P型硅 （a） 平面型 N型锗 E C B 铟球 铟球 P P+ （b）合金型 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. EC RC IC UCE C E B UBE 共发射极接法放大电路 14.5.2 三极管的电流控制作用 三极管具有电流控 制作用的外部条件 : （1）发射结正向偏置； （2）集电结反向偏置。 对于NPN型三极管应满足: UBE 0 UBC 0 即 VC VB VE 对于PNP型三极管应满足: UEB 0 UCB 0 即 VC VB VE 输出 回路 输入 回路 公 共 端 EB RB IB Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * 第14章 半导体二极管和三极管 14.2 PN结 14.3 半导体二极管 14.4 稳压管 14.5 半导体三极管 14.1 半导体的导电特性 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 14.1 半导体的导电特性 自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。 有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。 另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。比如：热敏性、光敏性、掺杂性。 当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。 往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 14.1.1本征半导体 在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子与其相邻的原子之间形成共价键，共用一对价电子。 完全纯净的、结构完整的半导体晶体，称为本征半导体。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 本征半导体的导电机理 本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。 温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。 Evaluation only. Cr