半绝缘碳化硅单晶生长和衬底制备关键技术及功率器.PDF

项目简介： 本发明属于无机非金属材料领域，涉及人工晶体与半导体技术。 碳化硅（SiC ）是继硅和砷化镓之后发展起来的宽禁带半导体，具有禁带宽、热导率高 等独特的物理特性，特别适合制备大功率半导体器件，在微波通讯、雷达、电力电子等领域 具有广阔的应用前景，对国民经济和国防建设具有重要意义。美国把半绝缘 SiC 衬底作为战 略物资，限制我国将其应用于国防领域，因此在项目开始前，国内无可使用的半绝缘 SiC 单 晶衬底。与其它半导体单晶相比，半绝缘 SiC 生长和衬底制备技术难度非常大，其中半绝缘 特性、微管缺陷控制、单一晶型、超硬材料加工是举世公认的技术难题。 在已故蒋民华院士老一辈科学家的支持下，发明了晶型稳定技术、掺杂控制技术、阻断 微管延伸技术等七项专利技术，攻克了半绝缘 SiC 单晶的关键技术，生长出具有高电阻率、 低微管缺陷密度的半绝缘 SiC 单晶，并研发出低成本、高可靠性的单晶生长设备，实现了产 业化。主要技术发明点有： 1、拟优化出适于碳化硅单晶生长的温度场，探明了单晶生长诸参数对晶型和微管缺陷 的影响规律，发明了大面积籽晶成核控制技术和提高碳输运技术，解决了保持单一晶型的碳 化硅生长技术难题；揭示了微管缺陷本质上是伯格斯矢量很大的超级螺位错，发明了阻断微 管技术，实现了微管缺陷控制，获得微管密度小于 0.5 个/cm2 的产品。 2 、基于碳化硅杂质能级，设计出掺杂补偿实现半绝缘特性的技术方案，发明了高纯碳 化硅粉料二次合成技术以及与温场分布相匹配的钒缓释技术，获得的半绝缘单晶片合格率大 于 90% 。 3、发明了碳化硅单晶的加工方法，包括超硬材料的切割、专用抛光液和表面化学机械 抛光等技术，解决了表面化学腐蚀层、表面损伤层、表面粗糙度等表面控制难题，建立了碳 化硅衬底产品检测标准。 4 、发明了一种适于 2-6 英寸单晶生长的装置，具有成本低、真空度高、可实时测温等 优点，解决了单晶炉的供给难题。实现了碳化硅的产业化，产品已应用于基于碳化硅衬底的 高功率器件。 项目通过了由山东省科技厅组织的成果鉴定。鉴定专家一致认为产品的微管密度、晶型 纯度、半绝缘电阻率等多项关键技术指标达到了国际先进水平。产品经国内多家用户试用结 果表明：SiC 单晶衬底的结构质量高、一致性和重复性好。目前半绝缘 SiC 单晶衬底已成功 应用于多项国家重大专项，解决了国内急需的核心半导体材料问题。 SiC 衬底的研发成功和功率器件应用满足了我国重大需求，增强了我国在大功率半导体 器件方面的国际竞争力和国防建设能力。三年来，取得直接经济效益 3400 万元，创造间接 经济效益达 3.8 亿元，并获得“十一五”和“十二五”国家科技重大专项支持，也支持了国 内多家单位重大专项的研究工作。 本项目获授权 7 项国家发明专利，发表论文 50 多篇，获 2013 年山东省技术发明一等奖。 主要完成人及贡献 姓名 排 技 工作单位 对项目技术贡献 曾 获 名 术 国 家 职 奖 励 称 情况 徐现刚 1 教 山东 是本项目总负责人及研发带头人，负责总体构思与 无 授 大学 实施。发明了 SiC 单晶生长装置，发明控制 SiC 单 晶的晶型，微管阻断技术及半绝缘单晶生长技术， 直接指导了 SiC 单晶加工的研究工作，解决了研究 成果的技术转化。 胡小波 2 教 山东 负责项目技术方案的具体实施。负责组织了高纯 无 授 大学 SiC 粉料的合成工作。研究了 SiC 单晶的结构