变流器机柜辐射发射仿真.PDF

变流器机柜辐射发射仿真 功率为500kW ，输入AC380V/50Hz，输出AC450V/400Hz，母排上的平均电流大 约1250A ，大电流将在变流器机柜周边产生强磁场，IGBT电流尖峰包含丰富的高频分 容 兼 磁 电 量，导致很强的辐射电场。 整个变流器机柜见右图。低电平控制器位于机柜的左上方，内部控制采用低电平 电子电路，触发信号及反馈信号采用光纤连接到IGBT触发器和各母排的电流环（机柜 中下部）。需要评估DC至1GHz频段上的整个变流机柜内外的电磁辐射发射状况。 低频段下金属的趋肤深度较大，金属壳体对电磁屏蔽效能较低；高频段时，机柜 上的缝隙和网孔是电磁泄漏的主要途径。因此需要分别高低频段进行电磁全波仿真。 E M 主要仿真控制箱中的电磁强度和机柜周边的电场和磁场强度。整个仿真分三部分：电 C 路原理图仿真、低频电磁和高频电磁仿真，分别用CST DS、EMS和MS完成仿真。 / E M 变流器电路仿真 I 首先采用CST EMS提取母排与机柜间的等效RLCG参数模型，再在CST设计工作室中搭建完整的变流器电路， 仿真50ms达到其稳态工作状态，得出变流器正常工作状态下所有母排上的电流波形，这些电流将用作为后续电磁 辐射仿真的源。 控制箱 电容 IGBT 模块 CST DS中的逆变器电路 AC输入 输出 AC输入输出及DC母排上的电流波形 低频段电磁辐射仿真（DC-1MHz） 将整个机柜的三维结构模型导入CST电磁工作室，设置所有的材料电磁属性，机柜外盖板和支架均保持原始 厚度，保证AC输入、DC整流和AC输出共七个电流回路畅通，加上七个电流源，波形为CST DS仿真所得的电流 波形。定义仿真区域、控制箱及周边各点处的电场和磁场探针。采用时域有限元求解器，仿真在七个母排电流同 时作用下全空间的电磁响应。 电场频谱：控制箱内约为34dBuV/m ，瞬态冲击 瞬态磁场：机柜外低于100毫高，机柜内最高可达2.1高斯 电场为1mV/m，得出其中印制板引脚上的电压 AC输入输出及DC母排 左边两图为距地面1m高处切平面上的瞬态 电场（左）和瞬态磁场（右）分布