下变频混频器-1讲述.ppt

东?南?大?学 射?频?与?光?电?集?成?电?路?研?究?所 * * 指导老师：李智群教授 报告人： 刘东海 Institute of RF- OE-ICs 深亚微米器件建模与IP核研究项目 第二次汇报 1 CMOS下变频混频器分析与设计 窄带下变频混频器设计指标 设计指标 指标要求 所用工艺 CSMC 0.18um RF CMOS 电源电压 1.8V 工作频率 2.4~2.4835GHz 输入1dB压缩点 -13dBm 转换增益 5dB 隔离度 -30dB 噪声系数 13dB 工作电流 1mA 1.1吉尔伯特混频器 图1-1-1 吉尔伯特混频器电路图 器件 型号 NMOS mn18_rf 电阻 rhr_rf 电容 cmim 1. 尾电流设计 为满足工作电流1mA，选择NMOS管宽长比W/L为80um/180nm,偏置电压为0.52V,仿真得工作电流为834.8uA。 2. 增益部分的设计 保证MOS管工作在饱和区，混频器的增益和管子的跨导相关，因此，更高的过驱动电压意味着更高的电压增益。同样，把MOS管栅极的宽度W增大，栅极的长度L减小也能得到更大的混频增益。选择NMOS管宽长比W/L为70um/180nm,偏置电压为0.95V。 3. 开关部分的设计 当LO本振信号的电压幅度较小时，中频信号IF会随着本振信号LO的增大而增大，但是本振信号LO的幅度太大时，信号就会产生尖峰，它会降低LO信号的开关速度，并且导致LO本振信号泄漏增加。为了达到完全的开关状态，LO本振信号的峰峰值至少要100mV，但最大不能超过400mV。选择NMOS管宽长比W/L为90um/180nm,偏置电压为1V。 4.负载部分设计 增大负载电阻可以增大混频器的变频增益，但是如果电阻值过大，使得在负载电阻两端的电压降过大，使得混频器的净空电压减小，线性度变差，所以在设计时电阻需要适当的考虑。可以在电阻两端并联一个电容，滤除高次谐波。电阻阻值为1.717K?，电容为6pF。 窄带吉尔伯特混频器仿真 电路仿真工具：Candence Spectre 工艺角： TT，27℃ 射频/本振/中频频率： 2.4G/2.395G/5M 电压转换增益仿真 pss+pxf仿真 仿真得阻抗匹配下电压增益为15.41dB,实际情况由于阻抗不匹配电压增益应该减去6dB，为9.41dB。根据瞬态仿真，输入为1.860mV,输出为5.868mV,电压转换增益为9.98dB，两者基本一致。 图1-1-2 转换增益结果图 图1-1-3 输入信号功率为-50dBm时瞬态波形 图1-1-4 输出信号功率瞬态波形 噪声系数NF 图1-1-5 噪声系数仿真结果 pnoise仿真 NF= 16.36dB @5MHz。 输出1dB压缩点 PSS仿真。 根据仿真阻抗匹配情况下OP1dB 为-18.5589dBm 。实际情况应该多加3dBm，为-15.5589dBm。 图1-1-6 1dB压缩点仿真结果 前仿真结果 设计指标 指标要求 电源电压 1.8V 工作频率 2.4~2.4835GHz 输入1dB压缩点 -13dBm 转换增益 5dB 噪声系数 13dB 工作电流 1mA TT 27℃ 1.8V 2.4GHz -15.5589dBm 9.98dB 16.36dB 835uA 1.2电流复用折叠结构吉尔伯特混频器 尾电流 电流复用跨导管 I+ I- I+ I- 开关管 共模信号 共模反馈电路 共模信号 基准信号 反馈信号 跨导级采用电流复用和尾电流的方式设计，从而使跨导级或尾电流管容易进入线性区。为保证混频器正常工作，稳定共模输出，电路中需要增加共模反馈电路。 共模反馈电路环路稳定性分析 图1-2-1 环路频率特性 低频增益为25dB，相位裕度为88deg。基本满足要求。 电流复用折叠结构吉尔伯特混频器仿真 电路仿真工具：Candence Spectre 工艺角： TT，27℃ 射频/本振/中频频率： 2.4G/2.395G/5M 静态工作电流为1.4mA 静态仿真 瞬态仿真 输入射频信号功率: -40dBm 图1-2-2 输入信号 图1-2-3 输出信号 输入信号幅度为5.2mV，输出信号为9.7mV。大概可以获得5.4dB的增益。 2 Wafer级的RF性能监控 2.1 MOS器件电性参数测量 2.2 生产线常见异常 2.1 MOS器件电性参数测量 图2-1-1