2.2半导体激光器讲解.pptVIP

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激光笔 条形码 光驱 CD机 激光头 医用半导体激光器 激光外科 半导体激光治疗机 阿波罗登月探测 激光雷达 机载激光武器 激光枪 激光显示 高功率蓝绿光LD芯片产业化依然是挑战。 * * * * * * * * §2.2 半导体激光器 ● 2.2.1 光学谐振腔与激光器的阈值条件 ● 2.2.2 半导体激光器的结构 ● 2.2.3 半导体激光器特性 ● 2.2.4 LD的应用   半导体激光器是以直接带隙半导体材料构成的PN结或PIN结为工作物质的一种小型化激光器。其工作原理是受激辐射,利用半导体物质在能带间跃迁发光,用半导体晶体的解理面形成两个平行反射镜面作为反射镜,组成谐振腔,使光振荡、反馈、产生光的辐射放大,输出激光。  半导体激光工作物质有几十种,目前已制成激光器的半导体材料有砷化稼(GaAs)、砷化铟(InAs)、氮化镓(GaN)、锑化铟(InSb)、硫化镉(Cds)、蹄化镉(CdTe)、硒化铅(PbSe)、啼化铅(PhTe)、铝镓砷(A1xGaAs)、铟磷砷(In-PxAs)等。 半导体激光器的工作原理 基本条件: 1. 有源区载流子反转分布 2. 谐振腔:使受激辐射多次反馈,形成振荡 3. 满足阈值条件,使增益损耗,有足够的注入电流。 §2.2.1 光学谐振腔与激光器的阈值条件 激光器稳定工作的必要条件 : (1) 粒子数反转产生增益   粒子数反转(population inversion)是产生激光的前提。一个原子可以在不同的能级之间跃迁。在通常情况下,因为热力学的平衡态服从波尔兹曼分布律,使得处于基态(最低能级)的原子数远远多于处于激发态(较高能级)的原子数,这种情况得不到激光。为了形成足够的激发辐射,得到激光,就必须用一定的方法去激发原子群体,使亚稳态上的原子数目超过基态上的。该过程称为粒子数的反转。   在PN结上施加正向电压,产生与内部电场相反方向的外加电场,结果能带倾斜减小,扩散增强。电子运动方向与电场方向相反,便使N区的电子向P区运动,P区的空穴向N区运动,最后在PN结形成一个特殊的增益区。 半导体激光器粒子数反转分布的产生:   增益区的导带有大量的电子,价带大量是空穴,在电子和空穴扩散过程中,导带的电子可以跃迁到价带和空穴复合,产生自发辐射光。这种光发射的范围宽、不集中、效率低。要真正实现粒子数反转以发射激光,必须对载流子及发射光施加附加的限制——双异质结的引入。   双异质结(DH:Double-Heterostructure):就是由带隙宽度及折射率都不同的两种半导体材料构成的PN结。 获得粒子数反转分布 图 2.2.1-2 DH激光器工作原理 (a) 双异质结构;  (b) 能带; (c) 折射率分布;  (d) 光功率分布 (d) P n ~5% 折射率 (c) 复合 空穴 异质势垒 E 电子 能量 (b) P Ga1-x Al x As P N + (a) - GaAs Ga1-y Al y As 异质结的作用: 异质结对载流子的限制作用 异质结对光场的限制作用 异质结的高注入比 半导体激光器研究前沿   垂直于有源层方向上运动的载流子动能可量子化成分立的能级,这类似于一维势阱的量子力学问题,因而这类激光器叫做量子阱激光器。   夹于宽带隙半导体(如GaAlAs)中间的窄带隙半导体(如GaAs)起着载流子(电子和空穴)陷阱的作用,一般的半导体激光器其有源层厚度约为100~200nm,但随着有源层厚度的减小,如5~10nm,载流子在垂直于有源层方向上出现量子效应,即出现量子化分立能级,称之为量子阱激光器。   这种激光器发光效率更高,电流阈值更小,出射光单色性更好。 ΔEC E3C E2C E1C ΔEV E1V E2V E3V 导带 价带 Lx E1V E2V Eg(GaAlAs) hv Eg(GaAs) (2) 提供光的反馈 ——解理面    其中最简单的是法布 里——珀罗腔 图2.2.1-1 激光二极管的谐振腔 注入电流 有源区 解理面 解理面 L 增益介质 R1 R2 z = 0 z = L 晶体中易于劈裂的平面称为“解理面”。凡显露在晶体外表的晶面往往是一些解理面。 (3) 满足激光器的阈值条件    只有当增益等于或大于总损耗时,才能建立起稳定的振荡,这一增益称为阈值增益。为达到阈值增益所要求的注入电流称为阈值电流。    一个纵模只有在其增益大于或等于损耗时,才能成为工作模式,即在该频率上形成激光输出。    有2个以上纵模激振的激光器,称为多纵模激光器。通过在光腔中加入色散元件等方法,可以使激光器只有一个模式激振,这样的激光器称为单纵模激光器。 增益曲线 损耗 v I §2.2.2 半导体激光器的结构 §2.2.

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