材料基础-第四章固体材料的缺陷概要.ppt

第四章 晶体材料的缺陷4.1 引言 实际的晶体结构不是理想的无缺陷结构，会存在一些不规则现象或形成结构不完整的区域，这就是晶体缺陷。 早在1926年，弗兰克尔(Frenkel) 就指出，“在任一温度下，实际晶体中的原子排列都不会是完整的点阵，晶体一些区域的原子的正规排列遭到破坏而失去正常的相邻关系。” 晶体缺陷对于材料性能，尤其是塑性变形、晶体生长、扩散、相变及强度等均有很大影响。另外，正是缺陷的存在，半导体才会传输电子，金属才具有延展性，改善材料性能才成为可能。 按晶体缺陷的几何特征，可以分成四种基本类型：点缺陷、线缺陷(位错)、面缺陷 和体缺陷，如图4-1所示。 但需记住，这些缺陷只代表理想原子排列中的缺陷。而实用上，为了获得所要求的材料性能如强度、硬度、塑性等，有时要有意地制造一些缺陷，即通过合金化、扩散、热处理和表面处理，设计和控制这些缺陷。 因此，设计和控制晶体缺陷是改进产品质量的关键，特别是对晶体生长以及使用过程中控制缺陷的形成、类型以及变化，都是极为重要的。 图4-1 晶体中重要缺陷的分类 4.2 点缺陷（point defect） 点缺陷是指在三维尺度上不超过几个原子直径大小的那些微小的缺陷。 也就是说，微小的点缺陷可以涉及一个原子，也可以是几个原子范围内的空间点阵结构的局部缺陷。 点缺陷的基本类型主要有三种：空位、间隙原子和异类原子（置换原子）。 1. 空位（vacancy） 空间点阵晶格上没有原子的结点叫空位，如图4-2a所示。 如果仅形成空位而不形成等量的间隙原子， 如图4－2a所示的那样 ，则这种缺陷叫肖脱基缺陷 (Schottky disorder), 对于离子晶体，由于离子平衡的电中性要求，在形成空位的同时，还会形成等量的间隙原子，这种缺陷称为弗兰克尔缺陷(Frenkel disorder)，如图4-2b所示。 空位和间隙原子均是由原子的热运动产生的。 2. 间隙原子（interstitial atom） 在晶体晶格间隙处存在的原子，叫间隙原子，如图4-2c所示。它也是由原子的热运动产生的。 间隙原子通常是原子半径小于0.1nm的非金属元素的原子, 如H(0.046nm)、C(0.077nm)、N(0.071nm)、B(0.097nm)、O(0.061nm)等。这些半径较小的原子存在于间隙固溶体和置换固溶体中。 当这类原子进入到点阵结构中，就形成间隙缺陷。即使面心立方晶体，致密度仅74％, 26％为空隙，故有一定的间隙空间。实际上，纯金属中含有的杂质，是有意被加到材料中以改善其性能。由于间隙原子和置换原子的存在,邻近原子会偏离其平衡位置，造成晶格周围畸变(图4-2d)。 3．置换原子（substitutional atom） 占据晶体晶格结点的异类原子，称为置换原子，如图4-3所示。 在置换固溶体中，溶质原子的半径与溶剂原子的半径基本相当。当原子半径较小时，更容易进入晶格的间隙位置而成为间隙原子。 无论哪一类点缺陷，都会造成晶格扭曲，在缺陷周围产生弹性应力场，使体系内能升高。 晶体中的点缺陷，无论空位、间歇原子，还是置换原子等，对材料性能均有较大的影响。 固溶体的形成，会产生额外的弹性应力场，使得金属的强度得到提高，但电阻率变大。 图4-3 晶格节点的置换原子 4. 点缺陷对材料性能的影响 在一般情况下，点缺陷主要影响晶体的物理性质，如比容、比热容、电阻率等。 （1）比容 为了在晶体内部产生一个空位，需将该处的原子移到晶体表面上，这就导致体积的增加。 （2）比热容 由于形成点缺陷，需向晶体提供附加的能量(空位生成焓)，因而引起附加的比热容。 （3）电阻率 金属的电阻，主要来源于离子对传导电子的散射。 在完整晶体材料中，电子基本上是在均匀电场中运动，当晶体存在缺陷时，在缺陷区的点阵周期性规律被破坏，因而电阻率增加。 点缺陷还会影响其它的物理性质，如扩散系数、内耗、介电系数等。 4.3 线缺陷（line defect） 线缺陷是指晶体中二维尺度方向很小但在第三维尺度方向上较大的缺陷。 位错(dislocation)是理想空间点阵中存在的一种最典型的线缺陷。 位错概念早在1934年