第十三讲光电二极管讲义.pptVIP

1、原理与结构 为了提高PN结硅光电二极管的时间响应，消除在PN结外光生载流子的扩散运动时间，常采用在P区与N区之间生成没有杂质的本征层(I型层)。 四、 PIN光电二极管 18 结构图 外形图 特点：(1) 时间响应快(2) 光谱响应向长波方向移动 (3) 输出线性范围宽。 不足：I层较厚，电阻大，输出电流较小。 四、 PIN光电二极管 电场分布 雪崩区 光吸收区 17 1、原理与结构 四、 PIN光电二极管 16 1、原理与结构 2、基本特性 (1)结电容 与激发面积和反向偏压有关。 反向偏压VR(V) 四、 PIN光电二极管 15 (2)电流-电压特性(伏安特性) E0无光照条件下，E1有光照射下，E2是增加光强的曲线 2、基本特性 四、 PIN光电二极管 14 下限由噪声决定，上限由感光面电极的结构决定。 (3)线性 为了使上限延伸，可通过增加反向偏压来实现。 入射光辐射通量(mw) GaAs PIN光电二极管的线性 入射光辐射通量(mw) InGaAS PIN光电二极管不同激活面积的线性曲线 2、基本特性 四、 PIN光电二极管 13 响应特性通常用上升时间或截止频率来表示，上升时间是指输出信号峰值从10%到90%的建立时间： tr=2.2Ct(RL+RS) (4)响应特性 Ct：封装电容和结电容Cj之之和；RL：负载电阻；RS：串联阻抗 通常RL?RS，RS可以忽略不计。为了减小上升时间，则Ct、RL值要求很小是非常必要的。 2、基本特性 四、 PIN光电二极管 上升时间和截止频率的关系： 12 在硅（或锗）光电二极管PN结上加反向偏压后，射入光被PN结吸收形成光电流。当加大反向偏压时会产生“雪崩”（即光电流成倍地激增）的现象-称为“雪崩光电二极管”。 具有三高（响应度、信噪比、响应速度）等特点，广泛应用于微光信号检测、长距离光纤通信、激光测距、激光制导等光电信息传输和光电对抗系统。 五 、雪崩光电二极管（APD） 11 1、基本概念 2、基本结构 (b) 在N型硅基片上扩散杂质浓度大的P+层，制成N型P结构； (a) 在P型硅基片上扩散杂质浓度大的N+层，制成P型N结构； (c) PIN型雪崩光电二极管 五 、雪崩光电二极管（APD） 10 3、工作原理 输出端受光照时，P+层受光子能量激发跃迁至导带的载流子，在内部加速电场作用下，高速通过P层，使P层发生碰撞电离而产生电子一空穴对。而它们又从强电场中获得足够的能量，再次晶格原子碰撞，又产生出新的电子一空穴对。这种过程不断重复，使PN结内电流急剧倍增放大(雪崩)，形成强大的光电流。 五 、雪崩光电二极管（APD） 9 五 、雪崩光电二极管（APD） 8 3、工作原理 电离产生的载流子数远大于光激发产生的光生载流子数，这时雪崩光电二极管的输出电流迅速增加，其电流倍增系数M定义为 I为倍增输出的电流，I0为倍增前输出的电流。 4、性能参数 （1） 增益(放大倍数) 五 、雪崩光电二极管（APD） 7 UBR：击穿电压；U：管子外加反向偏压；n：材料、掺杂和结构有关常数，硅器件，n＝1.5～4，锗器件n＝2.5 ～ 8 增益M与PN结的反向偏压、材料及结构有关 当U→UBR时，M→∞，PN结将发生击穿。 （1） 增益(放大倍数) 五 、雪崩光电二极管（APD） 6 4、性能参数 反向偏压 (V) 增益与温度、反向偏压的关系曲线 光谱灵敏度特性在没有加偏压时和普通光电二极管特性相同。当加偏压时，光谱灵敏度特性的波形会发生变化。 （2） 光谱响应特性 五 、雪崩光电二极管（APD） 5 4、性能参数 雪崩效应是大量载流子电离过程的累加，本身就是一个随机过程，因此雪崩光电二极管的噪声应该包括散粒噪声、由雪崩过程中引入的附加噪声和负载电阻RL的热噪声。 第一项：散粒噪声和雪崩过程中的附加噪声之和；Id：暗电流；k：与器件材料有关的系数。 （3） 噪声特性 五 、雪崩光电二极管（APD） 4 4、性能参数 响应速度的主要因素是CR（C主要是器件的结电容）和耗尽层内载流子的运动时间。 为了能达到高速响应，必须减小极间电容，而且减小受光面积，加宽耗尽层厚度也是有必要的。 （4） 响应速度 通常APD响应速度特别快，响应时间(上升时间)为0.5～2ns。 五 、雪崩光电二极管（APD） 3 4、性能参数 5、典型应用 光的波粒二象性的实验 五 、雪崩光电二极管（APD） 2 本讲小结 1、光电二极管的基本结构、工作原理、特性参量 1 3、雪崩光电二极管（APD)的基本结构、工作原理、性能参数