201204实验六MOSFET直、交流特性参数测试及SPICE参数提取实验指导2剖析.docx

实验六MOSFET直、交流特性参数测试及SPICE参数提取 引言 MOSFET 的直流输入特性，直流输出特性，开启电压，直流导通电阻，漏源击穿电压，跨导和动态电阻是通常测试的主要电参数。本实验介绍了三种测试方法，即用BJ-4815图示仪、万用表和PC 机分别进行测试。其中图示仪测量的特点是操作简便，迅速，结果直观，但测试精度不高。用万用表测试，其特点是测试原理直观，精度较高，但人工采集数据量太大，结果不直观；而用PC 机进行测试，其特点是测试速度极快，自动化程度高，结果直观，测试精度极高，其测试结果可打印输出，也可存盘保留，非常方便。 一、实验目的 1．通过实验加深理解MOSFET 器件交、直流参数的物理意义。 2．了解MOSFET 器件与双极晶体管工作原理的区别。 3．熟悉SPICE 程序中MOS 模型及其模型参数，学会提取MOS 模型参数的方法。 二、实验原理 1．测试样品介绍： 本实验的测试样品是集成电路TC4069，是不带驱动器的CMOS 反相器，是G、D、S、B 端互相独立，并能引击的MOSFET (图1)，其管脚排列图如图2 所示。它提供了G、D、S 端互相独立且可从管脚引出的N 沟和P 沟的MOSFET 。由于CMOSIC 中所有N 管的S 端，B 端短接，所有P 管的S 、B 端短接，因此，N 管和P 管均为，用TC4069 样品不能测试衬底调制效应。 图1 图2 2．MOSFET 的直流输人特性 MOSFET 是用栅电压控制漏源电流的器件。固定一个漏源电压 ，可测得一条关系曲线，对应一组阶梯漏源电压测得一组直流输入特性曲线如图3 所示。每条线均有三个区域，即截止区饱和区，非饱和区，曲线与轴交点处，曲线中各点切线的斜率即为所对应的和的跨导。切线斜率越大，跨导越大，MOSFET 的栅控能力越强。从理论上讲在三个区域中应是：（以N 沟增强管为例） (1) ，截止区：，曲线与轴重合，跨导； (2) ，饱和区，为二次曲线，跨导； (3) ，非饱和区，为一次曲线，跨导，用直流输入特性曲线可测得MOSFET 在各工作点的跨导。 1. 2. 3. 图 3 3．MOSFET 直流输出特性 MOSFET 直接输出特性是在某一固定的栅源电压下所得到关系曲线，相对一组阶梯栅源电压可测得一组输出特性曲线如图4 所示。每条曲线分三个区域。 (1) 非饱和区，曲线斜率逐渐变小； (2) 饱和区，斜率很小的直线； (3) 击穿区，陡直上升的曲线。 从这组曲线中可测得MOSFET 的直流导通电阻，动态电阻，平均跨导及漏源击穿电压。 图4 MOSFET的直流导通电阻，曲线中每点（即每个工作点）的导通电阻为这点所对应的 和 的比值，理论上讲，在很小时特性曲线呈线性，即为直线斜率的倒数： 在临界饱和点： MOSFET 的导通电阻是随和变化的可变电阻。 MOSFET 的动态电阻，曲线中各状态的动态电阻即为各点切线斜率的倒数。在非饱和区很小时，在饱和区是一个阻值很大的常数。 MOSFET 的漏源击穿电压可从特性曲线中直接测取。MOSFET 在某一范围内的跨导的平均值可在特性曲线中直接测出。 从曲线中可以看出，相同时，饱和区的跨导（或平均跨导）大于非饱和区的跨导，因此放大器的工作点一般均在饱和区。 4．MOSFET 的开启电压 使MOSFET开始强反型导通时所加的栅源电压叫开启电压，它是受衬底电压调制的，当时，开启电压为。开启电压测量方法很多，本实验中用了以下几种： (1) 最简单的办法是测量关系曲线，曲线明显拐弯处即为。由于开启和漏电流问题，这种方式测量开启电压不够准确。 (2) 拟合直线法可以测得较准确的开启电压。 由萨方程可知，在非饱和区 在很小时测关系数据，做关系的直线，直线在轴的截距即为开启电压。 (3) 饱和法测量开启电压是一种很简单的办法。使MOSFET漏栅短接，即工作在饱和区。将的值定为MOSFET 的开启电压。这种方法所测值比实际的开启电压略大。 三、实验内容 1．使用BJ-4815图示仪测量开启电压和输出特性。 2．使用万用表方法测直流输入特性，直流输出特性及饱和开启电压。 3． 使用PC 机测试系统测直流输入，直流输出特性曲线及非饱和区拟合直线法，饱和法等的开启电压。 4．在BJ-4815图示仪所显示的输出特性曲线上测定MOSFET 的直流导通电阻，动态电阻，跨导和漏源击穿电压。 5 ．在PC 机测试系统的输入和输出特性曲线上测定直流导通电阻，动态电阻和跨导。 四、实验步骤和方法 1. 使用BJ-4815图示仪进行测量： (1) 使用