集成电路工艺第一章硅集成电路衬底加工技术技巧.ppt

IC中硅衬底表面抛光 抛光设备： A、 按生产方式分：批式抛光机和单片式抛光机 B、 按抛光面数分：单面抛光机和双面抛光机 CMP抛光的动力学过程 CMP是一个多相反应，有二个动力学过程： 首先吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与单晶片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程（化学作用）如碱性抛光液中的OH-对Si的反应： Si ＋ 2OH- + H2O=== SiO32- + 2H2 2. 抛光表面反应物脱离硅单晶表面，即解吸过程，使未反应的硅单晶重新裸露出来的动力学过程（机械作用） CMP Oxide Mechanism Figure 18.10 SiO2 layer Polishing pad Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si CMP System (5) By-product removal (1) Slurry dispense By-products (2) H2O OH- travel to wafer surface (4) Surface reactions and mechanical abrasion Drain Slurry (3) Mechanical force presses slurry into wafer Si(OH)4 Rotation Si Si Si Mechanism for Metal CMP Figure 18.11 Polishing pad 2) Mechanical abrasion Rotation 1) Surface etch and passivation 3) Repassivation Slurry Downforce Oxide Metal Oxide Metal Oxide Metal CMP Tool with Multiple Wafer Carriers Polishing slurry Slurry dispenser Rotating platen Polishing pad Wafer carrier Spindle Carrier Backing film Wafer Figure 18.17 CMP抛光的机理 高速旋转下的磨料SiO2与抛光垫一起通过对硅片表面摩擦，磨去反应产物进入抛光液中， SiO2以胶体形式存在，表面带有电荷，对产物具有吸附作用，加快产物脱离硅片表面。 SiO2还有催化反应作用。即Si ＋ SiO2 ---- 2SiO, SiO + 2OH- ---- SiO32- ＋ H2 比Si ＋ 2OH- + H2O ---- SiO32- ＋ H2 容易发生 硅的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程，若化学腐蚀作用大于机械抛光作用，表面易产生腐蚀坑、橘皮状波纹。反之，若机械磨削作用大于化学腐蚀作用，表面产生高损伤层。 影响抛光速度及抛光片表面质量的因素 Schematic of Chemical Mechanical Planarization (CMP) Wafer Wafer carrier Rotating platen Polishing slurry Slurry dispenser Polishing pad Downforce Figure 18.8 Double-Sided Wafer Polish Upper polishing pad Lower polishing pad Wafer Slurry Figure 4.26 影响抛光速度及抛光片表面质量的因素 PH值的影响：随着PH值增加硅的去除速度增加，当PH大于12.5后，去除速度下降（表面从疏水性变为亲水性）。在相同的PH值下，有机碱的抛光速度大于无机碱。 温度的影响：提高温度抛光速度增加，粗抛时38～50℃，精抛时20～30℃，防过度挥发。 压力的影响：压力增加抛光速度增加，但如过大会增加表面划伤，温度不好控制。 硅片晶向的影响：不同晶向、不同掺杂浓度的硅片所得到的抛光速度不同。 流量的影响：流量小，摩擦力大，温度分布不均，降低硅片表面的平坦地。大流量使生成物迅速脱离硅片，降低摩擦热，保证硅片表面的一致性。 转盘的旋转速度：转速过高，抛光液较难均匀分布在抛光垫上，易掉片，损伤层大。大型抛光机相对转速在100－140rpm，上转30rpm，下转80rpm 粘贴：对有腊粘贴（单面抛光），腊层中含有气泡或微粒时会造成抛光时的区域性压力而导致硅片的弯曲度或凹洞的产生；双面抛光须采用无腊粘贴技术，双面抛