光电探测器技巧.pptVIP

① 量子效率 量子效率：是指每入射一个光子光电探测器所释放的平均电子数。它与入射光能量有关。其表达式为: 响应度分为电压响应度和电流响应度。 　 光谱响应度R(λ)是响应度随波长变化的性能参数。大多数光电探测器具有光谱选择性。 定义：探测器在波长为λ的单色光照射下，输出电压或电流与入射光功率之比。 ⑥ 探测度D与归一化探测度D* 1.探测度D 为噪声等效功率的倒数，即 ⑦ 其它参数 光电探测器还有其它一些参数，在使用时必须注意到。如： 1、暗电流：指没有信号和背景辐射时通过探测器的电流。 2、光敏面积：指灵敏元的几何面积。 3、探测器电阻、电容。 4、工作电压、电流、温度。 光电倍增管 雪崩二极管 原理： 雪崩二极管是利用半导体结构中载流子的碰撞电离和渡越时间两种物理效应而产生负阻的固体微波器件。 优点： 超低噪声· 高速· 高互阻抗增益 超导单光子探测器 原理： 将超导薄膜控制在超导临界温度以下，使其处于超导状态，当待测光子入射到该超导薄膜并产生热量后，该超导薄膜会从超导态转变为正常态，从而引起电阻率的跃变，监测该电阻率的变化，就可以实现单光子探测。 优点：超高的量子效率， 暗计数和计数率等性能 单光子雪崩二极管探测器构成和分类 SPAD探测成像技术主要包括： 单光子雪崩二极管、雪崩淬灭电路、雪崩信号读取电路三部分 其中淬灭电路，分为： 被动式淬灭、主动式淬灭、门脉冲淬灭 雪崩信号读取电路，根据每次能够读出的像素数目可分为： 像素串行读出、像素并行读出、列并行读出 * * 光电探测器 一 概述 二 常用单光子探测的器件 三 单光子雪崩二极管的工作原理 四 光电探测器的应用 一 概述 什么是光电探测器？ 光电探测器是一种把光辐射能量转换为便于测量的电能的器件。 2.常用光电探测器 光电管、光敏电阻、光电二极管、光电倍增管、光电池、四象限探测器、热电偶、热释电探测器等。 3. 光电探测器的性能参数主要有： ① 量子效率 ② 响应度 ③ 光谱响应度 ④ 频率响应度 ⑤ 噪音等效功率 ⑥ 探测度D与归一化探测度D* 式中，I是入射光产生的平均光电流大小，e是电子电荷，P是入射到探测器上的光功率。 I/e为单位时间产生的电子数, P/hυ为单位时间入射的光子数。 对于理想的探测器，每入射一个光子则发射一个电子，?=1；实际上一般有?1。 但对光电倍增管、雪崩光电二极管等有内部增益机制的光电探测器，?可大于1。 量子效率是一个微观参数，光电探测器的量子效率越高越好。 ② 响应度 响应度R（或称灵敏度）描述的是光电探测器的光电转换效率。 定义：光电探测器输出信号与输入光功率之比。 电压响应度Rv 光电探测器件输出电压与入射光功率之比 电流响应度RI 光电探测器件输出电流与入射光功率之比 ③ 光谱响应度 　频率响应度R(f)：响应度随入射光频率而变化的性能参数。其表达式为： 式中R(f)为频率为f 时的响应度；R0为频率为零时的响应度；?为探测器的响应时间或称时间常数,由材料和外电路决定。 ④ 频率响应度 ⑤ 噪声等效功率 定义：单位信噪比时的入射光功率。表达式为 NEP 越小，噪声越小，探测器探测能力就越强。 噪声等效功率(NEP)是描述光电探测器探测能力的参数。 2.归一化探测度D* 由于D与探测器的面积Ad 和放大器带宽Δf乘积的平方根成正比，为消除这一影响，定义： D*越大的探测器其探测能力越强。 二 常用单光子探测的器件： 光电倍增管 雪崩二极管 超导单光子探测器 原理： 当光照射到光阴极时，光阴极向真空中激发出光电子。这些光电子按聚焦极电场进入倍增系统，并通过进一步的二次发射得到的倍增放大。然后把放大后的电子用阳极收集作为信号输出。 优点： 在探测紫外、可 见和近红外区的辐射能 量的光电探测器中，具 有极高的灵敏度和极低 的噪声。另外，光电倍 增管还具有响应快速、 成本低、阴极面积大等 优点。 三 单光子雪崩二极管的工作原理 雪崩光电二极管（APD）是一种在PN 结上进行重掺杂而形成的光电探测器件，通常工作在强反偏压模式下，基于碰撞电离和雪崩倍增的物理机制对光电流进行放大。在强反偏压模式下，APD 的耗尽层存在强电场，光子入射后激发的自由载流子扩散进耗尽层后受到强电场的作用而进行高速的漂移运动，因而具有极高的概率能与晶格发生碰撞。所谓碰撞电离，就是指载流子将原子从晶格中撞出从而造成新的电子空穴对的过程。强电场作用下，新生的电子空穴对继续碰撞晶格，使得上述的碰撞电离继续发生，而新的电子空穴