电力电子期末总复习讲义.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 总复习 电力电子技术 School of Information Science Engineering, Ningbo University * 目录 0 引言 1 电力电子器件 2 整流器 3 斩波器 5 逆变电路 6 PWM 技术 * 电力领域的电子技术: 使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术，即应用于电力领域的电子技术。 模拟电子技术 电子技术 信息电子技术 电力电子技术 数字电子技术 引言 逆变 直流斩波 直流 交流电力控制 变频、变相 整流 交流 交流 直流 输出 输入 电力 电子学 电子学 电力学 控制 理论 连续、离散 电路、器件 静止器、旋转电机 * 电力电子技术的发展史是以电力电子器件的发展史为纲的。 晶闸管问世，(“公元元年”) 　IGBT及功率集成器件出现和发展时代 晶闸管时代 水银（汞弧）整流器时代 电子管问世 全控型器件迅速发展时期 史前期 （黎明期） 1904 1930 1947 1957 1970 1980 1990 2000 t(年) 晶体管诞生 * 通态损耗是器件功率损耗的主要成因。 器件开关频率较高时，开关损耗可能成为器件功率损耗的主要因素。 主要损耗 通态损耗 断态损耗 开关损耗 关断损耗 开通损耗 1 电力电子器件 1） 基本概念和器件分类 不控器件：功率二极管 半控器件：晶闸管 全控器件：GTO,GTR,功率MOSFET,IGBT,IGCT等 * 其他分类 电流驱动型 ——通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者 关断的控制。 电压驱动型 ——仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制。 * 功率二极管 额定电流——在指定的管壳温度和散热条件下，其允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。 IF(AV)是按照电流的发热效应来定义的，使用时应按有效值相等的原则来选取电流定额，并应留有一定的裕量。 换算关系：正弦半波电流的有效值I和平均值IF(AV)之比： 2 器件 * 晶闸管 正常触发导通条件： UAK0 and UGK0 关断条件 ：使流过SCR的电流降低至维持电流以下。 其他触发晶闸管导通的方法： 阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应 阳极电压上升率du/dt过高 结温较高 光触发 * 晶闸管参数 通态平均电流 IT(AV) ——使用时应按有效值相等的原则来选取晶闸管。 维持电流 IH ——使晶闸管维持导通所必需的最小电流。 擎住电流 IL ——晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后， 能维持导通所需的最小电流。对同一晶闸管来说，通常IL约为IH的2~4倍。 浪涌电流ITSM ——指由于电路异常情况引起的并使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流 du/dt(断态电压临界上升率) di/dt(通态电流临界上升率) * 晶闸管派生器件 GTO GTO 工作原理 GTO导通过程与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度较浅。 GTO关断过程中有强烈正反馈使器件退出饱和而关断。 多元集成结构还使GTO比普通晶闸管开通过程快，承受di/dt能力强 。 * GTR 一次击穿：集电极电压升高至击穿电压时，Ic迅速增大,出现雪崩击穿。 只要Ic不超过限度，GTR一般不会损坏，工作特性也不变。 二次击穿：一次击穿发生时，如不能有效的限制电流，Ic突然急剧上升，电压陡然下降。常常立即导致器件的永久损坏，或者工作特性明显衰变 。 安全工作区 最高电压UceM、集电极最大电流IcM、最大耗散功率PcM、二次击穿临界线限定。 * 功率 MOSFET 通态电阻 Ron具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。原因是电流越大，发热越大，通态电阻就加大，从而限制电流的加大，有利于均流。 功率MOSFET特点： MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系。 可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度。 不存在少子储存效应，关断过程非常迅速。 开关时间在10~100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高的。 场控器件，静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。 开关频率越高，所需要的驱动功率越大。 * IGBT 一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管。 擎住效应或自锁效应 IGBT的特点 (1)??开关速度高，开关损耗小。在电压1000V以上时，开关