785nm600mW光纤耦合半导体激光器K785A14FN-0.pdfVIP

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2017-03-24 发布于四川
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785nm600mW光纤耦合半导体激光器K785A14FN-0

785nm 600mW 光纤耦合半导体激光器 K785A14FN-0.600W 主要特性： ?波长785nm ? 出纤功率600mW ?光纤芯径105μm ?△?0.3nm ?0.22N.A. 应用领域： ?拉曼光谱应用 ?传感 ? 医疗 ?军事北京凯普林光电的半导体激光器组件是使用专业的耦合技术制作的高功率、高效率、高稳定性的产品。产品把芯片发出的光通过微光学元器件汇聚到小芯径的光纤中输出。在此过程对每一重要工艺均进行检验与老化，以保证了产品可靠、稳定、长寿命。在生产中，研究人员通过专业的技术和长期积累的经验不断进行着产品工艺的改进，确保了产品的高性能。公司还持续地开发新的产品来满足顾客不断增加的需求。顾客的利益一直被放在首位，为顾客提供高品质、高性价比的产品是公司一贯追求的目标。电话: 010-8368 1053 传真: 010-8368 2949 邮箱: sales@ 网址: 785nm 600mW 光纤耦合半导体激光器 K785A14FN-0.600W 25 K785A14FN-0.600W 典型产品技术指标（ ℃）符号单位输出功率 Po mW 600 中心波长 ?c nm 785 光学参数波长范围 - nm ±0.5 光谱宽度 (FWHM) △? nm ≤0.3 波长温度系数 - nm/℃ 0.02 光纤芯径 - μm 105/125 光纤参数(1) 数值孔径 N.A. - 0.22 连接器 - - FC/APC,SMA905 工作电流 Iop A 1.3