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2.5A输出电流IGBT和MOSFET2.5AOutputCurrentIGBTandMOSFET
VO3120
Vishay Semiconductors
2.5A 输出电流IGBT 和MOSFET 驱动
2.5A Output Current IGBT and MOSFET Driver
特性
? 2.5A 最小峰值输出电流
NC 1 8 VCC ? 25kV/ μs 最小共模抑制 (CMR ),
VCM=1500V 条件下
A 2 7 V
O ? ICC = 2.5 mA 最大电源电流
C 3 6 V ? 具备滞后现象的欠压锁定(UVLO)
O
? 宽工作电压范围:15V 至 32V
NC 4 5 V
Shield EE
? 0.2 μs 最大脉宽失真
20530_1
? 工业温度范围: - 40°C 至 110°C
V
D E
? 0.5 V 最大低电平输出电压(VOL )
19813 ? 根据 DIN EN 60747-5-2 标准的加强型隔离
? 符合 RoHS 指令 2002/95/EC 规定
说明
VO3120 配有一个 LED,与带功率输出级的集成式电路进行 应用
光耦合。这种光耦合器是驱动电机控制逆变器应用的功率 ? 隔离的 IGBT/MOSFET 栅极驱动
IGBT 和 MOSFET 的理想之选。输出级的高工作电压范围提
? 交流和无刷直流电机驱动
供栅极控制器件所需的驱动电压。该光耦合器的电压和电流
使其成为直接驱动额定值高达 800 V/50 A IGBT 的理想之选。
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