晶体管原理-A04技巧.ppt

第一章 绪 论 第二节 半导体器件基本方程 第一章 绪 论 电流密度方程 第一章 绪 论 电流连续性方程 第二章 pn结和晶体二极管 PN结的意义 1）单向导电性 2）击穿特性 3）电容特性 4）隧穿效应 pn结隔离 第二章 pn结和晶体二极管 第二节 pn结直流特性 第二章 pn结和晶体二极管 第三节 pn电容 第二章 pn结和晶体二极管 第四节 pn结击穿 第二章 pn结和晶体二极管 雪崩倍增因子 第二章 pn结和晶体二极管 影响雪崩击穿电压因素 第二章 pn结和晶体二极管 隧道击穿（齐纳击穿） 隧道效应：电子具有波动性，可以有一定的几率穿过位能比电子动能高的势垒区。 第二章 pn结和晶体二极管 雪崩击穿与隧道击穿的比较 第二章 pn结和晶体二极管 第二章 pn结和晶体二极管 PN结开关的瞬态特性 第二章 pn结和晶体二极管 电荷存储效应 第二章 pn结和晶体二极管 反向恢复时间 *Institute of Microelectronics Circuit System 半导体器件原理 2009.06.22 漂移速度和迁移率 爱因斯坦关系 载流子 越大,器件工作速度也越高。 1. 欧姆定律 积分形式: 微分形式: --II.半导体器件基本方程 空穴电流密度方程： 电子电流密度方程： --II.半导体器件基本方程 泊松方程 泊松方程是高斯定理的微分形式 第一节 平衡pn结 3. 空间电荷区宽XD/Xm 2. pn结接触电势差VD 空间电荷区/势垒区/耗尽层 1. Pn结的形成 理想pn结模型条件 1）小注入 2）势垒区外无电场 3）势垒区内无载流子的产生/复合 4）不考虑表面对pn结的影响 2. 非平衡少子注入在边界处的积累 3. 理想pn结模型电流电压方程 突变结势垒电容 2. 扩散电容 pn结击穿：pn结反向偏压增大到某一值VB时，反向电流突然迅速增 雪崩击穿 --由碰撞电离的雪崩倍增效应引起 碰撞电离率 ：每个自由电子（空穴）在单位距离内通过碰撞电离而产生的新的电子-空穴对的数目。 大的现象。 基本原因：载流子数目的突然增加 --IV.pn结击穿 雪崩击穿条件 电离率积分的大小主要取决于最大电场强度Emax附近的一个极窄的区域。粗略认为， Emax小于某值Ec（雪崩击穿临界电场强度）时，势垒区内各点处ai都很小。 雪崩击穿电压经验公式： 单边突变结- 线性缓变结- 雪崩击穿经验公式 --IV.pn结击穿 杂质浓度及分布方式 选用低掺杂的高阻材料作衬底/通过深扩散作深结 外延层厚度 P+NN+结构 棱角电场 柱面、球面曲率半径小、电场集中，易雪崩击穿 温度 正温度系数 --IV.pn结击穿 隧道电流密度 ： 隧道长度最小值： 当反向电压V增加到使势垒区中最大电场达到一个临界值时，隧道长度也小到一个临界值，这时有大量的P区价带电子通过隧道效应流入到N区导带，使隧道电流急剧增加，即隧道击穿/齐纳击穿。 --IV.pn结击穿 掺杂影响 热击穿 破坏性，不可逆的 基于热效应-电流与结温之间形成正反馈的结果 光照等外界影响 雪崩击穿电压下降 共性：电击穿，非破坏性，可逆的，假定恒温 温度系数 雪-正 隧-负 反向特性 雪崩倍增因子： 理想开关的条件： 1）直流特性 开态电压为零，关态电流为零 2）瞬态特性 打开瞬态出现定态电流，关态瞬间电流即消失 PN结开关直流特性 直流时,开态有微压降,关态有微电流 第五节 pn结的开关特性 轻掺杂一侧杂质浓度越低,正向压降越小 减小欧姆接触电阻 工艺上减小漏电导,以减小反向电流 --V.pn结的开关特性 影响开关速度的主要因素： 反向恢复时间tr --V.pn结的开关特性 条件：P+N结二极管，N区厚远大于少子扩散长度 根据电流连续性方程，有： 积分 反向时，根据电流连续性方程，有： --V.pn结的开关特性 积分 少子储存电荷的下降是由反向电流的抽取和少子自身的复合引起的 提高开关速度的措施： 1）器件本身参数角度 2）减小轻掺杂