硅材料填空题精选.doc

1硅在自然界主要以氧化物形式存在，不存在单质。 2硅的常见几种化合物，二氧化硅sio2，一氧化硅sio，硅的卤化six4,三氯化硅，硅烷。 3固体可以分为晶体和非晶体两大类。 4在不同的带轴方向上晶体的物理性质不同，这是晶体的各向异性。 5几种典型的晶胞，简立方，体心立方，面心立方，氯化铯结构，氯化钠结构，金刚石结构，闪锌矿结构，纤锌矿结构。 6硅的提纯有化学提纯，物理提纯两种方法。 7高纯度的多晶硅生长单晶硅则基本是以区熔法和直拉法两种物理提纯生长方法为主。 8对于大直径的单晶硅或者需要高输出功率的太阳能电池，其硅片的形状一般为方形。 9电参数的测量是硅材料电学性能测试的重要内容。它主要包括导电型号，电阻率，少子寿命和迁徙率测量。 10电阻率的测量接触法四探针法，拓展电阻法。非接触法电容耦合法，电感耦合法。 1 、硅根据其杂质可分为___和____。 2、所有晶体都是由_____、_____、______或这些_____在三维空间按一定规则排列而成。 3、在自然界中，硅主要以_____和______的形式存在。 4、硅的提纯中常用的两种提纯技术是______和_______。 5、由高纯度的多晶硅生长单晶硅则基本是以______和_____。 6、太阳电池用单晶片，一般有两种形状：______和_____。 7、非晶硅是重要的___________。 8、硅半导体的导电过程存在______和______两种载流子。 9、半导体材料的电阻率与______以及______有关。 10、在直拉法中掺入杂质的方法有共熔法和投杂法两种。、 答案1（粗硅 高纯硅）2原子 分子 离子 粒子集团）3（氧化硅 硅酸盐）4(精馏 吸附) 5（区熔法 直拉法）6（圆形 方形）7（薄膜半导体材料）8（电子 空穴）9（载流子浓度 载流子迁移率）10（ ） 1、晶体硅中存在缺陷后，会在晶体能带的禁带中引入缺陷能级，形成一定的复合中心，__减少__电池中的载流子浓度。 2、无论是内圆切割方式还是外圆切割方式，受制于刀片的__厚度__ 3、_硅胶化学机械抛光是利用__二氧化硅胶__或者近胶体状溶液进行抛光 4、通常在不影响PN结特性的前提下，扩散温度选择__高些__，可以缩短扩散时间，有利于生产。 5、_四探针法__测量薄层电阻 6、在光生伏特效应中，若PN结开路，在结的两边积累电子--空穴对，产生__开路电压__。 7、当拉晶时，固液界面并不平坦，对于分凝系数不为1的杂质而言，会导致产生的单晶硅的__径向电阻率__有较大的不均匀性。 8、在能耗上，单晶由于有拉晶的过程，相对能耗__远大于__铸造多晶硅。 9、常温下，由于电离产生了大量的空穴，把此类主要依靠空穴导电的半导体成为__P型半导体__。 10、n0和p0的乘积称为__非简并半导体平衡态判据式__。 1、硅的光吸收处于（红外波段） 2、以硅材料作为基体的太阳能电池可以分为（单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池） 3.晶体生长过程可看成相界的推移过程，由此，晶体生长方式分为三类(固相生长，液相生长，汽相生长) 4.在太阳能级多晶硅制备中，改良西门子法的显著特点有（能耗低，成本低，产量高，质量稳定，对环境不产生污染）等。 5.在掺金量相同时N型硅比P型硅寿命下降的（更快些） 6.如果硅材料很纯，材料的电阻率和杂质浓度的关系是(=1/e) 7. (多晶硅薄膜)太阳电池以成为目前世界光伏领域中最活跃的研究方向。 8.化学法提纯高纯多晶硅的生产方法大多分为三步（中间化合物的合成，中间化合物的分离提纯，中间产物被还原） 9.多晶硅片生产流程：清洗硅材、装料、化料、（晶体生长）、退火、冷却、（硅锭出炉）、破锭、多线切割、（硅片清洗）、包装等。 10. 单晶硅的原生缺陷是（晶体原生颗粒缺陷） 1、晶体缺陷主要包含有以下四种，分别为：点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。 2、多晶硅的生产方法主要包含：SiCl4法、硅烷法、流化床法、西门子改良法。 3.框图简要说明硅片制备主要工艺流程： 单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包。 4.硅太阳能电池主要通过扩散在表面制备PN结。什么是恒定源扩散？ 　　扩散过程中，认为硅片周围的杂质浓度是恒定的，不随时间而改变，硅片表面的杂质浓度Ns保持不变，始终等于源相中的杂质浓度，称这种情况为恒定源扩散。 5.画出硅太阳能电池制造工艺流程简要方框图： 　　硅片加工→化学清洗和抛光→涂源扩散→真空蒸镀制备上电极→化学镀镍制备下电极→边缘腐蚀→中间测试分档→引线浸锡→蒸镀反射膜→总测分类。 6.直拉法生长单晶硅拉晶过程有哪几个主要阶段？缩颈的主要目的是什么？ 　　拉晶过程：润晶、缩颈、放肩、等径生长、拉光